[实用新型]一种MOSFET过压保护装置无效
| 申请号： | 200720028645.1 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN201113945Y | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈玉新 | 申请（专利权）人： | 烟台奔腾汽车检测维修设备制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264006山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 保护装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种MOSFET过压保护装置，由MOSFET(14)、二极管(13)，电阻(12)和电容(15)组成，其特征是：MOSFET(14)的漏极(2)与二极管(13)的正极(4)和电阻第一极(5)相连接；二极管(13)的负极(3)与电阻第二极(6)和电容第一极(7)相接；电容第二极(8)与MOSFET(14)的源极(1)相连接。
2、如权利要求1所述的MOSFET过压保护装置，其特征在于：所述的二极管(13)是肖特基二极管。
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