[实用新型]等离子体化学气相淀积装置有效
申请号: | 200720032642.5 | 申请日: | 2007-08-31 |
公开(公告)号: | CN201121209Y | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 杨银堂;周端;柴常春;李跃进;刘毅;汪家友;付俊兴;俞书乐;吴振宇 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/52 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 王品华;黎汉华 |
地址: | 710065*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 化学 气相淀积 装置 | ||
1.一种等离子体化学气相淀积装置,包括微波功率源及传输部件(101)、微波谐振腔体(102)、工艺室与样品台部件(103)、真空部件(104)、气路部件(105),其特征在于:微波功率源及传输部件(101)设有矩形-同轴波导转换器(209)和微波谐振腔同轴波导(210);微波谐振腔体(102)由上圆波导(301)-锥形波导(302)-下圆波导(313)三段组成,底部设有介质窗(303);工艺室与样品台部件(103)设有承片部件(801)和加热部件(814);该工艺室与样品台部件(103)连接有自动传片部件(106);所述的微波谐振腔体(102)、真空部件(104)、自动传片部件(106)、气路部件(105)分别与工艺室与样品台部件(103)相连,所述的每个部件均通过控制部件(107)连接控制。
2.根据权利要求1所述的等离子体化学气相淀积装置,其特征在于,介质窗(303)上设有磁场部件(306),该磁场部件采用永磁磁铁(402)形成环形相间排列结构并固定在无磁模板(401)上。
3.根据权利要求1所述的等离子体化学气相淀积装置,其特征在于,自动传片部件(106)包括预真空室(701)、传片机械手(702)、承片部件(801)、置片片盒(703)、取片片盒(704)、置片片盒升降机构(705)、取片片盒升降机构(706),该传片机械手分别与取片片盒和置片片盒连接,并通过矩形阀(509)与工艺室与样品台部件中的工艺室(809)连接,该置片片盒和取片片盒放置在预真空室(701)内。
4.根据权利要求1所述的等离子体化学气相淀积装置,其特征在于,所述的承片部件(801)包括转动螺杆(804)、传动螺杆(805)、承载台(803);该转动螺杆两端分别与转动电机(810)和传动螺杆相连,传动螺杆顶端固定在承载台中心。
5.根据权利要求1或2所述的等离子体化学气相淀积装置,其特征在于,微波谐振腔体(102)的下圆波导(313)依次固定有法兰盘(312)、无磁托盘(307);所述的磁场部件(306)放置在该无磁托盘上。
6.根据权利要求1或5所述的等离子体化学气相淀积装置,其特征在于,法兰盘(312)中间设有窗口,所述的介质窗(303)覆盖在该窗口上,该法兰盘与工艺室(809)连接。
7.根据权利要求2所述的等离子体化学气相淀积装置,其特征在于,所述的采用永磁磁铁(402)形成环形相间排列结构,是将三圈永磁磁铁由内向外按不同半径和角度等间隔固定在无磁模板(401)上,即
R1∶R2∶R3=1∶2∶3,θ1∶θ2∶θ3=4∶2∶1。
8.根据权利要求1所述的等离子体化学气相淀积装置,其特征在于,所述的控制部件(107)包括上位机(901)、模拟量微控制器(902)、数字量微控制器(903)、智能仪表控制单元(904)、模拟信号控制部件(905)、数字信号控制部件(906)、智能仪表(907),该上位机通过网络分别与模拟量微控制器、数字量微控制器、智能仪表控制单元连接,该数字量微控制器与数字信号控制部件相连,该模拟量微控制器与模拟信号控制部件相连,该智能仪表控制单元与智能仪表相连。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的