[实用新型]沟槽高压P型金属氧化物半导体管无效
| 申请号： | 200720035523.5 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN201038163Y | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;刘侠;戈喆;易扬波;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 高压 金属 氧化物 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，其特征在于包括兼做衬底的P型漏区(1)，在P型漏区(1)上设有P型外延(2)，在P型外延(2)上设有N型阱(3)，在N型阱(3)上设有P型源区(4)和N型接触孔(5)，在N型阱(3)及P型外延(2)内设有沟槽(6)，在沟槽(6)内填充有二氧化硅(8)，在沟槽(6)内还设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)的位置高度与N型阱(3)的高度相对应，在沟槽(6)的周围设有N型区，在多晶硅栅(9)与N型阱(3)之间设有栅氧化层(11)，在多晶硅栅(9)及P型源区(4)的上方覆有二氧化硅(10)，在P型源区(4)及N型接触孔(5)上连接有铝引线(12)。
2.根据权利要求1所述的沟槽高压P型金属氧化物半导体管，其特征在于N型区为N型环(72)且该N型环(72)位于沟槽(6)的侧壁上。
3.根据权利要求1或2所述的沟槽高压P型金属氧化物半导体管，其特征在于N型区为N型底(71)且该N型底(71)位于沟槽(6)的端部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720035523.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合太阳电池
- 下一篇：一种双路模块电源装置及模块电源电路
- 同类专利
- 专利分类
