[实用新型]RF输出超时保护器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造设备，尤其涉及一种晶圆蚀刻机台内的保护装置。

背景技术

一般在集成电路的制程中，常常通过光刻掩膜板将所要求制造的电路图案微化显影到涂有光刻胶的氧化硅片上，再利用蚀刻机台产生的电浆将硅片上不必要的氧化膜气化，并由真空泵抽离，从而达到芯片布图的目的。但在蚀刻的过程中，蚀刻机台的控制计算机软体会有陷入死循环的情况发生，如此则晶圆(wafer)会长时间暴露在电浆之中，发生过度蚀刻。对于集成度越来越高的IC制程而言，这样的过度蚀刻足以导致整片氧化硅片的报废，使得单晶硅棒拉制、切片、研磨、氧化等工艺前功尽弃，无论从材料成本还是能耗上衡量，都将是巨大的浪费。

如图2所示的是现有技术的蚀刻机台的基本架构示意图。由图可见，当蚀刻工艺开始时，控制计算机1的软体启动运行并向低电平有效的射频功率发生器2输出使能信号；于是该射频功率发生器2便在低电平信号的作用下，向蚀刻腔体3输出功率(RF)，以提供其产生电浆的射频能量。与此同时，射频功率发生器2向控制计算机1反馈一个射频启动信号，该信号为高电平有效。当控制计算机1的软体运行至结束蚀刻时，会向射频功率发生器2发出一高电平的止能信号，从而终止射频能量的输出。但当控制计算机1的软体陷入死循环时，则上述高电平的止能信号将不会被输出，由此射频功率发生器2将在持续的低电平使能信号作用下继续输出功率而过蚀刻晶圆。

实用新型内容

针对上述现有技术所存在的风险，本实用新型提供一种RF输出超时保护器，其目的旨在解决机台控制计算机软体进入死循环后射频输出无法得到及时控制的弊端。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：

一种RF输出超时保护器，包括计时系统、数字信号处理器和若干I/O端口，其特征在于：所述的RF输出超时保护器装设于控制计算机朝向射频功率发生器的信号传输路径中，并且与射频功率发生器的反馈信号输出端相连接，具体连接方式为：

所述保护器的一个I/O端口44a与控制计算机的信号输出端相连接；

所述保护器的另一个I/O端口44b与射频功率发生器的反馈信号输出端相连接；

所述保护器的又一个I/O端口44c与射频功率发生器的使能信号接收端相连接。

进一步地，所述的计时系统嵌设于I/O端口44b与数字信号处理器之间。

更进一步地，所述的计时系统为高电平计时、低电平清零。

再进一步地，所述的RF输出超时保护器还包含一声光报警装置。

本实用新型提出的RF输出超时保护器，通过计时监控机台输出的射频使能信号，对于超出规定时间的运作情况，能够及时阻断射频功率发生器的功率输出并发出声光报警，具有有效保护晶圆的优点。

以下结合附图，对本实用新型的优选实施例进行详细描述，以加深对本案创新实质的理解。

附图说明

图1是本实用新型RF输出超时保护器的内部架构示意图；

图2是现有技术的蚀刻机台的基本架构示意图；

图3是本实用新型实施例蚀刻机台的基本架构示意图。

以上各附图标记的含义如下：