[实用新型]微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥

说明书

所属技术领域：

本实用新型涉及一种微波集成电路中的3dB电桥，特别是一种微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥。

背景技术：

3dB电桥广泛应用于微波集成电路，比如移相器，平衡放大器，功率合成，功率分配，调制器，混频器等多种电路。3dB正交电桥是个四端口网络，它的特性是两口输入、两口输出，两输入口相互隔离，两输出端口各输出输入口输入功率的50％，并且输出信号相位相差90度。传统的微带制作工艺无法用单节的耦合实现3dB的紧耦合，因此对于传统的工艺使用两个8.34dB的耦合器串接而成达到3dB的紧耦合，这样就导致电桥的体积大，插入损耗大。现在市场上使用的3dB电桥常采用分支电桥，要增加分支电桥的耦合带宽，就必须增加其节数，这就使电桥的体积增大。有的电路采用外接3dB电桥的方法，这就不利于电路的集成化。

发明内容：

本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有3dB电桥的缺点，提供一种小体积、高集成度、低插入损耗的微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥。

本实用新型解决其技术问题的技术方案是：一种微波低波段超微型3dB锯齿耦合正交电桥，具有输入端、耦合端、直通端、隔离端四个端口，电路组成包括锯齿状耦合线，锯齿的角度为90度，其特征是耦合线中部断开，形成一条连通的带线和位于连通带线两侧的两条带线，该两条带线通过金属线连接，输入端与直通端和耦合端相邻，所述的电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片上。

本实用新型的有益效果如下：电路设计使电桥的直通端和耦合端位于两条带线上，利用单节耦合的结构实现了低插入损耗，产品体积小，通过超微细微带薄膜工艺使耦合缝隙达到微米级实现了3dB的紧耦合，使产品具有低插入损耗、高方向性、高集成度和大带宽等优点，作为微波集成电路的一个基础的重要元件，广泛应用于无线通讯的多种设备的电路中。

附图说明：

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式：

下面参照附图并结合实施例对本实用新型进行详细描述。但是本实用新型不限于所给出的实施例。

如图1所示，本实用新型3dB锯齿耦合正交电桥具有输入端IN、耦合端OH、直通端ZT、隔离端ISO四个端口，电路组成包括中部断开的锯齿状耦合线，锯齿的角度为90度，形成一条连通的带线MS1和位于连通带线两侧的两条带线MS21、MS22，该两条带线MS21、MS22通过金属线D连接，输入端IN与直通端ZT和耦合端OH相邻，所述的电路通过超微细微带薄膜工艺制作在陶瓷基片(图中未画出)上。

实施例中，本实用新型进一步的特征是：在锯齿状耦合线外侧开有纵向的槽1和“T”形槽2，起到增强耦合、减小耦合区对频依赖的影响的作用。

实施例中，陶瓷基片为介电常数9.9、厚度0.5mm的三氧化二铝陶瓷基片。