[实用新型]直插式发光二极管无效
| 申请号： | 200720052249.2 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN201093214Y | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 吴纬国 | 申请（专利权）人： | 广州南科集成电子有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V19/00;F21V29/00;F21V23/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 | 代理人： | 李彦孚 |
| 地址： | 510663广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直插式 发光二极管 | ||
1.一种直插式发光二极管，包括壳体(10)、两个引脚(11、12)、LED芯片(2)、覆盖于所述LED芯片(2)上的荧光粉(5)、保护胶(6)，其特征在于：所述壳体(10)为散热金属壳体，两个所述引脚(11、12)与所述壳体(10)通过绝缘物(13)相固定连接，所述LED芯片(2)包括硅衬底(20)、阳极接点(21)、阴极接点(22)和若干个LED裸芯片(23)，所述硅衬底(20)固定于所述壳体(10)内底面，所述阳极接点(21)、所述阴极接点(22)分别与两个所述引脚(11、12)相连接，所述LED裸芯片(23)之间串联或串并联组合连接。
2.根据权利要求1所述的直插式发光二极管，其特征在于：所述直插式发光二极管还包括光学透镜(14)，所述光学透镜(14)包罩于所述LED芯片(2)的外部且所述光学透镜(14)内部充满所述保护胶(6)。
3.根据权利要求1所述的直插式发光二极管，其特征在于：所述LED裸芯片(23)包括衬底(230)和N型外延层(231)、P型外延层(232)，所述硅衬底(20)顶面于每个所述LED裸芯片(23)处有两个分离的沉积金属层(24)，所述LED裸芯片(23)正装或倒装焊接在各所述金属层(24)上，所述硅衬底(20)于每个所述LED裸芯片(23)处有一个阱区(27)，所述金属层(24)与所述硅衬底(20)的结合区分别还有一个掺杂的隔离层(25)，所述隔离层(25)位于所述阱区(27)内，各所述LED裸芯片(23)对应的所述金属层(24)之间设有阻挡层(26)，所述金属层(24)分别引出所述阳极接点(21)、所述阴极接点(22)。
4.根据权利要求3所述的直插式发光二极管，其特征在于：所述衬底(230)为砷化镓或碳化硅衬底，所述衬底(230)直接焊接在所述金属层(24)上，所述P型外延层(232)通过金属线(41)对应焊接在相邻的一个所述金属层(24)上。
5.根据权利要求3所述的直插式发光二极管，其特征在于：所述P型外延层(232)、所述N型外延层(231)分别通过焊球(42)倒装焊接在所述金属层(24)上。
6.根据权利要求3所述的直插式发光二极管，其特征在于：所述衬底(230)为氧化铝衬底，所述衬底(230)正装焊接或粘贴在所述金属层(24)上，所述P型外延层(232)、所述N型外延层(231)分别通过金属线(43、45)焊接在相邻的所述金属层(24)上。
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