[实用新型]一种用于倒装的大功率发光二极管晶片

说明书

技术领域

本实用新型是一种用于倒装的大功率发光二极管晶片。

背景技术

随着发光半导体技术的发展，以氮化镓及其化合物为原材料制成的发光二极管在显示及照明等光电领域的应用越来越广泛。但从客观上来讲，现有的发光二极管晶片的尺寸一般为0.3mm×0.3mm或更小，发光亮度不是很理想，而且将整块大的晶片划分为若干小晶片的划片成本也比较高，从而导致现有一般的小型LED成本高却亮度低。因此，现有很多大功率LED都采用一整块大的晶片直接封装成灯具，这样可以得到更高的亮度也避免了划片而产生的成本问题。但与此同时，功率的提升直接导致晶片更大的发热量，而其较低的出光率和较差的散热效果更加剧了晶片温度的升高，使晶片衰减加速，从而晶片的使用寿命也急速减少。

发明内容

本实用新型针对上述技术问题，提供一种用于倒装的大功率发光二极管晶片，它不仅可以产生更高的亮度，而且有更好的出光率和散热效果，从而使其使用寿命加长。

为达到上述目的，本实用新型采用如下的技术方案：一种用于倒装的大功率发光二极管晶片，包括蓝宝石衬底，以及依附于蓝宝石衬底一个侧面上的外延层，其特征是在所述蓝宝石衬底远离外延层的另一个侧面上，开设有多条用于出光的凹槽，且该凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度，在所述凹槽的表面设置有扩散作用的微透镜阵列，所述凹槽截面形状为三角形、梯形或弧形形状，且凹槽顶面宽度大于底面宽度。

采用上述技术方案后，本实用新型在使用大块的晶片做大功率LED时，在晶片的蓝宝石衬底上开设有出光和散热的凹槽，因此它有更高的出光率和更好的散热效果，同时亮度更高，也省去了划片的成本，适用于制作各种大功率LED。另外，本实用新型的凹槽是在蓝宝石衬底上开设的，此操作过程完全不会对外延层产生损伤，因此产品的成品率也比较高。

附图说明

图1是本实用新型的截面示意图；

图2是透镜阵列放大图。

具体实施方式

参照附图1，本实用新型是针对大晶片进行优化后的单颗晶片产品。外延层2依附于蓝宝石衬底1并由此而生长成一个大块的LED晶片，然后通过常规的LED切割技术在蓝宝石衬底1远离外延层2的侧面上开设多条用于出光和散热的凹槽3，并且凹槽3的深度不超过蓝宝石衬底1的厚度，此外在凹槽3的表面还设置有起扩散作用的、单个大小呈微透镜阵列31，它们形成一个粗糙面，以得到更好的出光效果，如图2中所示。另外需要补充的是，凹槽3的截面形状可以是三角形、梯形、弧形形状等形状，如图1A、1B和1C所示，但其顶面宽度a大于底面宽度b，以保证晶片的出光率及散热效果。