[实用新型]高前后比低副瓣天线有效
申请号: | 200720054098.4 | 申请日: | 2007-07-13 |
公开(公告)号: | CN201054387Y | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 蒋克勇;胡成才 | 申请(专利权)人: | 京信通信系统(中国)有限公司 |
主分类号: | H01Q21/06 | 分类号: | H01Q21/06;H01Q21/08;H01Q19/10 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 刘延喜 |
地址: | 510663广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 前后 低副瓣 天线 | ||
1.一种高前后比低副瓣天线,包括反射板和辐射单元,辐射单元装设在反射板上,各辐射单元通过功分网络进行并联馈电,其特征在于:每四个辐射单元为一组进行十字交叉排列。
2.根据权利要求1所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:至少存在两组各由四个辐射单元构成的辐射单元组纵向排列装设在反射板上。
3.根据权利要求1或2所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板设有边界条,边界条开设有若干缺口。
4.根据权利要求1或2所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板上开设有与辐射电流方向相平行的缝隙。
5.根据权利要求1或2所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述各辐射单元距离反射板表面的距离为0.1至0.3个波长之间。
6.根据权利要求1或2所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述辐射单元可采用半波对称振子、工字型振子或微带振子。
7.根据权利要求3所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述边界条的缺口呈方状。
8.根据权利要求4所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板的缝隙长度间于0.3至0.6个波长之间。
9.根据权利要求3所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板上开设有与辐射电流方向相平行的缝隙。
10.根据权利要求9所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板的缝隙长度间于0.3至0.6个波长之间。
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