[实用新型]高前后比低副瓣天线有效

专利信息
申请号: 200720054098.4 申请日: 2007-07-13
公开(公告)号: CN201054387Y 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 蒋克勇;胡成才 申请(专利权)人: 京信通信系统(中国)有限公司
主分类号: H01Q21/06 分类号: H01Q21/06;H01Q21/08;H01Q19/10
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 代理人: 刘延喜
地址: 510663广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 前后 低副瓣 天线
【权利要求书】:

1.一种高前后比低副瓣天线,包括反射板和辐射单元,辐射单元装设在反射板上,各辐射单元通过功分网络进行并联馈电,其特征在于:每四个辐射单元为一组进行十字交叉排列。

2.根据权利要求1所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:至少存在两组各由四个辐射单元构成的辐射单元组纵向排列装设在反射板上。

3.根据权利要求1或2所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板设有边界条,边界条开设有若干缺口。

4.根据权利要求1或2所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板上开设有与辐射电流方向相平行的缝隙。

5.根据权利要求1或2所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述各辐射单元距离反射板表面的距离为0.1至0.3个波长之间。

6.根据权利要求1或2所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述辐射单元可采用半波对称振子、工字型振子或微带振子。

7.根据权利要求3所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述边界条的缺口呈方状。

8.根据权利要求4所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板的缝隙长度间于0.3至0.6个波长之间。

9.根据权利要求3所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板上开设有与辐射电流方向相平行的缝隙。

10.根据权利要求9所述的高前后比低副瓣天线,其特征在于:所述反射板的缝隙长度间于0.3至0.6个波长之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京信通信系统(中国)有限公司,未经京信通信系统(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720054098.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top