[实用新型]薄膜沉积装置无效
| 申请号： | 200720067624.0 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN201049962Y | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 刘兆虎;方文勇;曾海;陈冬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜沉积装置，其包括真空处理室及金属保护外壳，所述金属保护外壳位于真空处理室内，且将被沉积薄膜的基片和靶材包围于其内，其特征在于：该金属保护外壳设有至少一个排气口，薄膜沉积装置中的残气至少部分由该排气口排出。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于：该金属保护外壳设有与基片大致平行的边缘部，所述排气口设置在边缘部上。
3.如权利要求1或2所述的薄膜沉积装置，其特征在于：金属保护外壳上设有等距离分布的四个排气口。
4.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其特征在于：该薄膜沉积装置还包括固定金属保护外壳的工作平台，该工作平台上设有与真空处理室相通的环形排气槽道。
5.如权利要求4所述的薄膜沉积装置，其特征在于：所述排气口与工作平台上的排气槽道相通。
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