[实用新型]薄膜晶体管阵列基板无效
申请号: | 200720069485.5 | 申请日: | 2007-04-28 |
公开(公告)号: | CN201097400Y | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 张锋 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 | ||
1. 一种薄膜晶体管阵列基板,包括
多条沿第一方向延伸的栅极扫描线(20);
多条沿第二方向延伸的数据线(30),栅极扫描线(20)和数据线(30)交叉形成像素区域;
设置在像素区域内的薄膜晶体管(31)和像素电极(40);
形成在与栅极扫描线(20)同一金属层上的内侧遮光线(21)和外侧遮光线(22),并分布在数据线(30)的两侧;
其中所述外侧遮光线(22)或数据线(20)的一端至少有一突起(22a),所述突起(22a)使外侧遮光线(22)与数据线(30)交叠,外侧遮光线(22)的另一端与横跨栅极扫描线(20)的修复线(32)的一端交叠,修复线(32)的另一端与栅极扫描线(20)交叠的修复衬垫(23)交叠。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于所述的突起(22a)由外侧遮光线(22)朝向数据线(30)延伸形成,或由数据线(30)朝向外侧遮光线(22)延伸形成。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于所述的外侧遮光线(22)的上端向外形成有突起(22b),所述修复线(32)和突起(22b)重叠交叉,且所述修复衬垫(23)与栅极扫描线(20)形成在同一金属层上,所述修复线(32)与数据线(30)形成在同一金属层上。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于所述的修复线(32)和数据线(30)之间的距离大于等于6微米。
5. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于所述的修复衬垫(23)与栅极扫描线(20)形成在同一金属层上,所述修复线(32)形成在像素电极层上,所述修复线(32)和修复衬垫(23)及外侧遮光线(22)的重叠交叉中间层还分别设置有与数据线(30)形成在同一金属层上的修复衬垫(33a)和(33b)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的