[实用新型]薄膜晶体管阵列基板无效

专利信息
申请号: 200720069485.5 申请日: 2007-04-28
公开(公告)号: CN201097400Y 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 张锋 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列
【权利要求书】:

1. 一种薄膜晶体管阵列基板,包括

多条沿第一方向延伸的栅极扫描线(20);

多条沿第二方向延伸的数据线(30),栅极扫描线(20)和数据线(30)交叉形成像素区域;

设置在像素区域内的薄膜晶体管(31)和像素电极(40);

形成在与栅极扫描线(20)同一金属层上的内侧遮光线(21)和外侧遮光线(22),并分布在数据线(30)的两侧;

其中所述外侧遮光线(22)或数据线(20)的一端至少有一突起(22a),所述突起(22a)使外侧遮光线(22)与数据线(30)交叠,外侧遮光线(22)的另一端与横跨栅极扫描线(20)的修复线(32)的一端交叠,修复线(32)的另一端与栅极扫描线(20)交叠的修复衬垫(23)交叠。

2. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于所述的突起(22a)由外侧遮光线(22)朝向数据线(30)延伸形成,或由数据线(30)朝向外侧遮光线(22)延伸形成。

3. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于所述的外侧遮光线(22)的上端向外形成有突起(22b),所述修复线(32)和突起(22b)重叠交叉,且所述修复衬垫(23)与栅极扫描线(20)形成在同一金属层上,所述修复线(32)与数据线(30)形成在同一金属层上。

4. 根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于所述的修复线(32)和数据线(30)之间的距离大于等于6微米。

5. 根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于所述的修复衬垫(23)与栅极扫描线(20)形成在同一金属层上,所述修复线(32)形成在像素电极层上,所述修复线(32)和修复衬垫(23)及外侧遮光线(22)的重叠交叉中间层还分别设置有与数据线(30)形成在同一金属层上的修复衬垫(33a)和(33b)。

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