[实用新型]半导体设备的气体分配盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备，具体地说，涉及一种半导体设备的气体分配盘。

背景技术

进行干法蚀刻制程的半导体设备的反应室通常需要设置气体分配盘，蚀刻气体通过气体分配盘后可均匀地到达晶圆表面，与晶圆表面进行反应，蚀刻出需要的电路图形。图1是现有气体分配盘1′的示意图，该气体分配盘1′具有九个安装孔，其中周围八个安装孔安装有具有通气孔的气体注射管2′、3′，中心位置的安装孔安装有实体密封件4′。

采用现有的气体分配盘结构，以90纳米晶圆后段钝化层蚀刻制程为例。在蚀刻过程中，会产生大量的微粒物质及悬浮聚合体，部分聚合体沉积在气体分配盘的气体注射管和密封件上。但是所述密封件由于本身材料特性很难与上述杂质结合紧密，部分沉积在密封件上聚合物很容易脱落下来，污染晶圆表面，造成晶圆的表面缺陷。另外，采用现有的气体分配盘，蚀刻速率的不均匀度也较高，大致在6-7％，这样影响了蚀刻图形的一致性。

有鉴于此，需要提供一种新的气体分配盘。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种可减少晶圆表面缺陷的气体分配盘。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体设备的气体分配盘，其包括数个气体注射管，每一气体注射管都具有数个通气孔，其特征在于：其中一个气体注射管安装在气体分配盘的中心位置。

进一步地，气体分配盘中心位置的气体注射管具有12个通气孔。

进一步地，气体分配盘中心位置的气体注射管的通气孔为一层设置。。

进一步地，气体分配盘中心位置的气体注射管朝四个方向均可以排气。。

与现有技术相比，本实用新型气体分配盘的中心位置将气体注射管代替了现有的密封件，不仅可以有效避免残留聚合物污染晶圆表面，而且使得气体分配盘的中心也可以流通气体，有效清除晶圆表面残留颗粒，起到了提高成品率的有益效果。

附图说明

图1为现有气体分配盘的示意图。

图2为本实用新型气体分配盘的示意图。

图3为一种类型的气体注射管的示意图。

图4为另一种类型的气体注射管的示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的一实施例进行描述，以进一步理解其实用新型的目的、具体结构特征和优点。

本实用新型提供了一种新的半导体设备的气体分配盘1。该气体分配盘设有九个安装孔，其如图2所示分布。该气体分配盘1具有两种类型的气体注射管，两种气体注射管均具有12个通气孔，当然也可以根据反应气体的流量、浓度以及其他参数来调节通气孔的个数。一种类型的气体注射管2、4的通气孔20为一层设置，朝四个方向均可以通气，如图3所示。另外一种类型的气体注射管3的通气孔30分两层设置，每层6个通气孔30，只能朝三个方向进行通气，如图4所示。四个气体注射管2安装在四个最外围安装孔上，一个气体注射管4安装在气体分配盘1中心位置的安装孔上，另外四个气体注射管3安装在中间的四个安装孔内。

与现有技术相比，本实用新型气体分配盘的中心部分将具有12个通气孔的气体注射管4代替了密封件，使得气体分配盘的中心也可以流通气体，有效清除晶圆中心部分的残留颗粒。沉积于气体注射管4的聚合体杂质也不容易脱落，不会污染晶圆表面，减小了晶圆表面出现缺陷的可能性。如果气体注射管4上沉积的聚合体杂质达到一定厚度时可以进行更换，也不会影响气体的流通。另外，采用本实用新型的气体分配盘的半导体设备对晶圆的钝化层即氮化硅层进行蚀刻步骤时，氮化硅蚀刻速率的不均匀度降低至3-4％，有效提高了蚀刻图形的一致性，进而提高了成品率。

另外，本实用新型的气体分配盘不限于应用到晶圆某一层，只要是进行蚀刻制程的半导体设备均可以采用该气体分配盘。