[实用新型]气缸

说明书

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积装置，特别涉及化学气相沉积装置上的气缸。

背景技术

目前，半导体薄膜材料外延生长的方法主要采用化学气相沉积技术。沉积是指一种材料以物理方式沉积在晶圆表面上的工艺过程，其工艺如下，含有薄膜所需的原子或分子的化学物质在反应室内混合并在气态下发生反应，其原子或分子沉积在晶圆表面聚集，形成薄膜。化学气相沉积技术则具有沉积温度低、薄膜成分和厚度易控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、技术成本低、设备简单、可大批量生长等一系列优点。因此，目前绝大多数锗Ge、硅Si材料的外延生长都采用化学气相沉积技术。

现今业界根据不同的产品要求会采用各种相应的化学气相沉积技术，例如，专利号为ZL01141203.8的中国专利公开了一种化学气相沉积方法，包括下列步骤，在与所述基体平行的方向上提供原料气体；以与所述基体垂直的方向上提供强制气体；且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在其圆周部分的对应流速，或者，在原料气体通道中部的流速小于在所述通道两端部分的流速。

在对于晶圆进行化学气相沉积之前，晶圆一般都由机械手臂从晶圆暂存装置或是上一个制程的设备中传送过来待命。当化学气相沉积设备可用时，化学气相沉积设备上的气缸就会放气来打开化学气相沉积设备的腔体门，并通过机械手臂将晶圆传送至化学气相沉积设备中。由于气缸通常是采用油密封结构的，因此在气缸放气打开腔体门的过程中，油滴可能会随着放出气体一同从气缸的排气孔中排出而溅落在晶圆上，对晶圆质量产生损坏。

实用新型内容

本实用新型即是为了解决现有技术气缸放气打开密封门的时候会使油滴从排气孔中排出溅落在晶圆上。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种气缸，包括气缸上的排气孔，其中气缸排气孔上还罩了滤油装置。所述滤油装置可以是一有通孔的金属外框，并且有一滤油层覆盖于金属外框的通孔上或者是覆盖于排气孔表面的滤油层。所述滤油层的大小大于或等于排气孔的大小。所述滤油层可以是油毡或无尘过滤纸。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：本实用新型气缸通过设置于排气孔上的滤油装置阻止油滴，防止油滴随放出气体排出而溅落到晶圆上，对晶圆质量产生损坏。

附图说明

图1是本实用新型第一实施例气缸示意图；

图2是本实用新型第一实施例气缸上滤油装置示意图；

图3是本实用新型第一实施例气缸下滤油装置示意图；

图4是本实用新型第二实施例气缸示意图。

具体实施方式

本实用新型气缸的实质是通过设置于排气孔上的滤油装置过滤油滴来防止油滴随放出气体排出而溅落到晶圆上。

本实用新型气缸通过较佳的实施例来进行详细说明已使得本实用新型气缸的结构更加清楚。

实施例1，参照图1所述，本实用新型气缸包括气缸上的上排气孔和下排气孔，以及，

上滤油装置，罩于气缸的上排气孔上，包括具有通孔的外框1和覆盖外框1通孔的滤油层2；

下滤油装置，罩于气缸的下排气孔上，包括具有通孔的外框3和覆盖外框3通孔的滤油层4。

所述滤油层可以是油毡或无尘过滤纸。

其中上滤油装置通过螺栓结构固定于上排气孔上，下滤油装置通过螺栓结构固定于下排气孔上。当然，上滤油装置和下滤油装置也可以通过卡槽分别固定在上排气孔上和下排气孔上。

上滤油装置的大小与上排气孔所处的气缸部件的尺寸配合，大于或等于该气缸部件的尺寸，如图2所示，上滤油装置的详细尺寸如下，上滤油装置外框1的长边为250mm，短边为53mm，滤油层2距离外框1的短边的距离为75mm，距离长边的距离为无特殊要求，滤油层2的长边为100mm，短边为30mm。当然，滤油层的大小并不仅限于所述的尺寸，滤油层也并不仅限于一个，也可以在滤油装置的外框上设置与所述气缸的每一个排气孔位置和大小对应的滤油层，所述滤油层2的大小大于或等于排气孔的大小。