[实用新型]基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源无效
申请号: | 200720071435.0 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN201054460Y | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 周军;蔡虹;董景星;张芳沛;楼祺洪;魏运荣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01S3/067 | 分类号: | H01S3/067;H01S3/08;H01S3/0941;H01S3/108;H01S3/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 铒镱共掺双 包层 光纤 红外 功率 激光 光源 | ||
1.一种基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,特征在于其构成包括高功率半导体激光器(1)和自该高功率半导体激光器(1)的输出端依次设置的:传能光纤(2)、第一光纤光栅(3)、第二光纤光栅(4)、铒镱共掺双包层光纤(5)、准直透镜(6)、聚焦透镜(7)、非线性晶体(8)和准直输出透镜(9),所述的铒镱共掺双包层光纤(5)的输出端(10)位于所述的准直透镜(6)的前焦点,所述的聚焦透镜(7)的后焦点和准直输出透镜(9)的前焦点共焦,该焦点位于所述的非线性晶体(8)之中,所述的高功率半导体激光器(1)发出的泵浦光通过传能光纤(2)耦合到铒镱共掺双包层光纤(5),在所述的传能光纤(2)和铒镱共掺双包层光纤(5)之间,熔接有分别对中心波长λ1和中心波长λ2高反的第一光纤光栅(3)和第二光纤光栅(4),分别作铒镱共掺双包层光纤激光器的λ1和λ2激光波长的谐振腔镜,铒镱共掺双包层光纤(5)的另一端(10)垂直轴线切割,作为谐振腔的输出镜。
2.根据权利要求1所述的基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其特征在于所述的铒镱共掺双包层光纤(5)的纤芯为圆形,直径为20μm,纤芯数值孔径为0.07;其内包层为六角形或八角形,直径为200μm或400μm,内包层数值孔径为0.46。
3.根据权利要求1所述的基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其特征在于所述的第一光纤光栅(3)是中心波长λ1=1.06μm具有高反射率的双包层光纤光栅,其光纤光栅仅仅刻写在圆形纤芯区域,反射率大于90%;其纤芯和内包层的直径和数值孔径与所述的铒镱共掺双包层光纤(5)的相应参数相同。
4.根据权利要求1所述的基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其特征在于所述的第二光纤光栅(4)是中心波长λ2=1.56μm具有高反射率的双包层光纤光栅,其光纤光栅仅仅刻写在圆形纤芯区域,反射率大于90%;其纤芯和内包层的直径和数值孔径与所述的铒镱共掺双包层光纤(5)的相应参数相同。
5.根据权利要求1所述的基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其特征在于所述的高功率半导体激光器(1)的中心波长同铒镱共掺双包层光纤(7)的吸收波长相匹配,为975nm或915nm,所述的高功率半导体激光器(1)是多个半导体激光器阵列的组合或多个单管半导体激光器的组合。
6.根据权利要求1所述的的基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其特征在于所述的准直透镜(6)是由一球面透镜组构成的对波长λ1和λ2消色差的准直透镜,其各个面均镀两个波长的增透膜,实现两个波长激光的高效率准直输出。
7.根据权利要求1所述的的基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其特征在于所述的聚焦透镜(7)是由一球面透镜组构成的对波长λ1和λ2消色差的聚焦透镜,或是由非球面透镜构成的消色差透镜,并对其各个面均镀两个波长的增透膜。
8.根据权利要求1所述的的基于铒镱共掺双包层光纤的中红外高功率激光光源,其特征在于所述的非线性晶体(8)是LiNbO3晶体、MgO:LiNbO3晶体或其它非线性晶体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所,未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720071435.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三相电压表
- 下一篇:激光选择性分离阴极射线管显示屏的装置