[实用新型]一种具有保护装置的可控硅复合开关无效
申请号: | 200720080346.2 | 申请日: | 2007-07-11 |
公开(公告)号: | CN201263142Y | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 骆武宁;海涛 | 申请(专利权)人: | 南宁微控技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/72 | 分类号: | H03K17/72;H03K17/08 |
代理公司: | 广西南宁明智专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 黎明天 |
地址: | 530001广西壮族自*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 保护装置 可控硅 复合 开关 | ||
1、一种具有保护装置的可控硅复合开关,包括可控硅、继电器,其特征在于:在单片机系统的可控硅触发信号输出电路与可控硅的功率触发电路之间串联接入单稳态电路。
2、根据权利要求1所述的具有保护装置的可控硅复合开关,其特征在于:单稳态电路为555定时器、集成单稳芯片或者全数字单稳态电路。
3、根据权利要求1或2所述的具有保护装置的可控硅复合开关,其特征在于:所说的具有保护装置的可控硅复合开关的电路是在单片机系统与可控硅触发电路之间串接接入单稳态电路,可控硅触发电路之后接可控硅元件,可控硅元件接电力电容器,可控硅元件两端并接继电器接点,继电器一端也与单片机系统连接。
4、根据权利要求1或2所述的具有保护装置的可控硅复合开关,其特征在于:所述的单稳态电路由电容、电阻R、施密特电路构成,其中单片机系统先接到施密特电路的输入端,施密特电路的输出端接电阻后分别接施密特电路和电容,施密特电路接可控硅功率触发电路的输入端。
5、根据权利要求1或2所述的具有保护装置的可控硅复合开关,其特征在于:所述的单稳态电路由电容、电阻、施密特电路构成,其中单片机系统先接电容后分别接电阻和施密特电路,施密特电路接电容后分别接电阻和施密特电路后与可控硅功率触发电路的输入端,电阻一端接地。
6、根据权利要求1或2所述的具有保护装置的可控硅复合开关,其特征在于:所述的单稳态电路以可以由二极管、电容、电阻、串联的施密特电路和与门电路构成,其中二极管的阴极和电容的一端与单片机系统可控硅控制输出端相连接,二极管的阳极与电容的另一端与电阻的一端以及施密特电路的输入端相连接,电阻的另一端接共公地;施密特电路串联后与门电路的输入端相连,再接可控硅功率驱动电路的输入端,可控硅功率驱动电路的输出端接可控硅控制极控制回路,可控硅的主电路一端接电源,另一端接电力电容器,电力电容器的另一端接零线。
7、根据权利要求1或2所述的具有保护装置的可控硅复合开关,其特征在于:所述的单稳态电路也可以由电容、电阻、集成单稳芯片或者全数字单稳态电路构成,其中单片机系统接电阻和集成单稳芯片或者全数字单稳态电路的输入端,集成单稳芯片或者全数字单稳态电路输出端接可控硅功率触发电路的输入端和电容,电容另一端接地。
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