[实用新型]一种晶体硅太阳能电池组件冷却装置的余热利用系统有效
申请号: | 200720080380.X | 申请日: | 2007-07-23 |
公开(公告)号: | CN201066693Y | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | 刘汉元 | 申请(专利权)人: | 四川永祥多晶硅有限公司 |
主分类号: | H01L31/058 | 分类号: | H01L31/058;H01L31/052;H01L31/024 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 614800四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 组件 冷却 装置 余热 利用 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池组件的综合利用设备,具体地说,涉及一种晶体硅太阳能电池组件冷却装置的余热利用系统。
背景技术
在阳光照射下,晶体硅太阳能电池直接将光转换为电能,同时在其内部也不断产生热量,造成它的工作温度不断升高,光电转换效率降低,输出功率下降,为此应对它进行冷却,并对余热加以利用。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种晶体硅太阳能电池组件冷却装置的余热利用系统。
本实用新型是这样实现的:
一种晶体硅太阳能电池组件冷却装置的余热利用系统,包括晶体硅太阳能电池组件,晶体硅太阳能电池组件冷却装置,冷却水盒、供水管路、回水管路、出水管路、电磁阀、排气阀、手动阀、集热水箱、温度传感器、控制器。
所述晶体硅太阳能电池组件为市售标准产品。
所述晶体硅太阳能电池组件冷却装置,是在晶体硅太阳能电池组件的背面粘结压合冷却水盒而成一体,冷却水通过冷却水盒流经晶体硅太阳能电池组件的背面,对晶体硅太阳能电池组件进行冷却并蓄积热量。
所述冷却水盒设置进水口接头,出水口接头。
所述进水口接头上设置一温度传感器,由控制器控制。
所述出水口接头上设置另一温度传感器,由控制器控制。
所述供水管路,由自来水管连接一电磁阀,通过三通与进水口接头连接,电磁阀通过温度传感器发出信号由控制器控制开与关。
所述回水管路由进水口接头通过三通与另一电磁阀连接,电磁阀由管道连接到集热水箱,电磁阀通过温度传感器发出信号由控制器控制开与关。
所述出水管路由出水口接头通过管道连接到集热水箱,管道上设置排气阀。
所述集热水箱为长方体,其上面与出水管路连接,还设有排气阀,其左面上方与回水管连接,其右面上方设有溢流管,其下面设有手动阀将热水输出以供它用,回水管高程在溢流管位置之上。
所述控制器为多点自动温度控制器。
本实用新型所述晶体硅太阳能电池组件冷却装置的余热利用系统,将白天晶体硅太阳能电池组件工作时产生的热量,由流经它背面的自来水冷却,并将热量蓄积起来,当水温上升至设定温度上限时,温度传感器发出信号,通过控制器打开电磁阀,有一定压力的自来水把热水顶出,流入集热水箱,当水温低于设定温度下限时,电磁阀又关闭,停止供水,冷却水盒中的水又吸热升温,到设定温度上限时,电磁阀又打开,自来水又把热水顶出,这样周而复始地把热水送入集热水箱中,以供它用;回水过程是,冬季夜晚气温冷到冰点设定温度下限时,另一温度传感器发出信号,通过控制器控制,另一电磁阀打开,冷却水盒中的水由回水管路排空到集热水箱,避免结冰损坏晶体硅太阳能电池组件,当气温升至冰点设定温度上限时,电磁阀关闭,停止回水。
作为本实用新型的进一步改进,如晶体硅太阳能电池组件数量多,规模可扩大到供数千人使用的集中供热中心。
附图说明
图为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
参见图示,本实用新型所述的一种晶体硅太阳能电池组件冷却装置的余热利用系统,包括晶体硅太阳能电池组件1,在它背面粘结压合水冷却盒3而成一体,成为晶体硅太阳能电池冷却装置2,水冷却盒3的下方设有进水接头16,进水接头16上设置温度传感器15,进水接头16通过三通与电磁阀14一端连接,电磁阀14另一端与自来水管13连接,组成供水管路;冷却水盒3的上方设有出水口接头4,出水口接头4上设置温度传感器5,出水口接头4通过管道7与集热水箱10上面连接,管道7上设置排气阀6,组成出水管路;进水口接头16通过三通与电磁阀17一端连接,电磁阀17另一端连接管道18与集热水箱10左面上方连通,组成回水管路;集热水箱10为长方体,其上面与管道7连通,其上面还设有排气管9,其左面上方与管道18连接,其右面上方设有溢流管11,管道18的高程在溢流管11高程之上,其下面设有手动阀12将热水输出以供它用。
所述集热水箱10为夹层结构,中间为保温层。
控制器8通过导线连接温度传感器5,电磁阀14,温度传感器15、电磁阀17、按设定实施控制。
所述冷却水盒由工程塑料制成,颜色为黑色或褐色或深兰色。
所述控制器为多点自动温度控制器。
本实用新型的工作过程是:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川永祥多晶硅有限公司,未经四川永祥多晶硅有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720080380.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:直轴圆转子喷气发动机
- 下一篇:含有双歧杆菌属细菌的发酵食品及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的