[实用新型]积分数据接收器无效
申请号: | 200720084837.4 | 申请日: | 2007-05-24 |
公开(公告)号: | CN201113970Y | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 敖海;由红 | 申请(专利权)人: | 武汉芯动科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H04L25/02 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 | 代理人: | 王敏锋 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 积分 数据 接收器 | ||
1. 一种积分数据接收器,它包括积分电路(11)和检测放大电路(12)两部分,其特征在于:
A.第一级积分电路(11),包括积分元件(21)、充电元件(22)和放电元件(23),以及相应的控制信号,用以接收N对/N为自然数输入的差分/或单端数据信号并将其差值积分;
B.第二级检测放大电路(12),包括检测放大元件(31)和锁存输出元件(32)两部分。检测放大元件(31)的输入连接到所述第一级积分电路(11)的输出上,用以检测放大第一级的积分结果;锁存输出元件(32)的输入连接在检测放大元件(31)的输出上,用以将检测放大结果锁存输出。
2. 根据权利要求1所述的一种积分数据接收器,其特征在于:
积分电路(11)由积分元件(21)、充电元件(22)和放电元件(23)组成,其中,积分元件(21)的结构关系为:第一电容C1的一端和第二电容C2的一端连接均在电源电压VDD上,第一电容C1的另一端连接在节点201上,第二电容C2的另一端连接在节点202上;充电元件(22)的结构关系为:第一P沟道型MOS晶体管MP1和第二P沟道型MOS晶体管MP2的源端均连接到电源电压VDD上,第一P沟道型MOS晶体管MP1的漏端连接在节点201上,第二P沟道型MOS晶体管MP2的漏端连接在节点202上,第三P沟道型MOS晶体管MP3的源漏两端分别连接在节点201和节点202上,第一、二和第三P沟道型MOS晶体管MP1、MP2和MP3的栅端连接在反相器(24)的输出端上,反相器的输入端连接在输入端子STROBE上;放电元件(23)的结构关系为:第一N沟道型MOS晶体管MN1和第二N沟道型MOS晶体管MN2的源端均连接在节点203上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的漏端连接在节点201上,第二N沟道型MOS晶体管MN2的漏端连接在节点202上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的栅端连接在输入端子DATA上,第二N沟道型MOS晶体管MN2的栅端连接在输入端子DATAB上,第三至第六N沟道型MOS晶体管MN3~MN6的漏端连接在节点203上,第三至第六N沟道型MOS晶体管MN3~MN6的源端分别连接在第七至第十N沟道型MOS晶体管MN7~MN10的漏端上,第七至第十N沟道型MOS晶体管MN7~MN10的源端连接在地节点VSS上,第三至第六N沟道型MOS晶体管MN3~MN6的栅端连接在四位控制总线CONTROL上,第七至第十N沟道型MOS晶体管MN7~MN10的栅端连接在反相器(24)的输出端上。
3. 根据权利要求1所述的一种积分数据接收器,其特征在于:
检测放大电路(12)由检测放大元件(31)和锁存输出元件(32)组成,其中,检测放大元件(31)的结构关系为:第一至第四P沟道型MOS晶体管MP1~MP4的源端连接在电源电压VDD上,第一、三P沟道型MOS晶体管MP1、MP3的漏端以及第二P沟道型MOS晶体管MP2的栅端连接在节点310上,第二、四P沟道型MOS晶体管MP2、MP4的漏端以及第一P沟道型MOS晶体管MP1的栅端连接在节点311上,第五P沟道型MOS晶体管MP5的漏端和源端分别接在节点310和节点311上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的栅端和第二N沟道型MOS晶体管MN2的漏端连接在节点311上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的漏端和第二N沟道型MOS晶体管MN2的栅端连接在节点310上,第一N沟道型MOS晶体管MN1的源端和第三N沟道型MOS晶体管MN3的漏端连接在节点312上,第二N沟道型MOS晶体管MN2的源端和第四N沟道型MOS晶体管MN4的漏端连接在节点313上,第三、四N沟道型MOS晶体管MN3、MN4的源端和第五N沟道型MOS晶体管MN5的漏端连接在节点314上,第五N沟道型MOS晶体管MN5的源端连接在地节点VSS上,第三至第五P沟道型MOS晶体管MP3~MP5和第五N沟道型MOS晶体管MN5的栅端连接在输入端子STROBE上;第三N沟道型MOS晶体管MN3的栅端连接在输入端子DATA上,第四N沟道型MOS晶体管MN4的栅端连接在输入端子DATAB上,锁存输出元件(32)的结构关系为:第六至九P沟道型MOS晶体管MP6~MP9的源端连接在电源电压VDD上,第六、八P沟道型MOS晶体管MP6和MP8的漏端以及第九P沟道型MOS晶体管MP9的栅端连接在节点320上,第七、九P沟道型MOS晶体管MP7和MP9的漏端以及第八P沟道型MOS晶体管MP8的栅端连接在节点321上,第六、八N沟道型MOS晶体管MN6、MN8的漏端以及第九N沟道型MOS晶体管MN9的源端连接在节点320上,第七、九N沟道型MOS晶体管MN7、MN9的漏端以及第八N沟道型MOS晶体管MN8的栅端连接在节点321上,第六P沟道型MOS晶体管MP6的栅端连接在节点311上,第七P沟道型MOS晶体管MP7的栅端连接在节点310上,反相器INV1的输入端连接到节点310上而输出端连接到第六N沟道型MOS晶体管MN6的栅端,反相器INV2的输入端连接在节点311上而输出端连接在第七N沟道型MOS晶体管MN7的栅端;节点320连接到输出端子OUTB上,节点321连接到输出端子OUT上。
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