[实用新型]阵列式巨磁阻抗效应电流传感器

权利要求书

1.阵列式巨磁阻抗效应电流传感器，由阵列式非晶电流传感器探头(1)、(2)，振荡及整流电路(3)、(4)和后续调零放大器(5)、数字显示器(6)组成；其特征在于：

(1)阵列式电流传感器探头(1)、(2)是由多个具有良好软磁特性的长方形非晶带单元(8)由铜线(9)串联焊接起来的，且两个阵列式探头(1)、(2)要求一样，其平行对称地放置在通电导线(10)的两侧；

(2)在通电导线(10)的下面设置有永磁体(7)，通过其提供偏置磁场固定阵列式探头(1)、(2)在非晶带材料GMI率随磁场变化曲线上的工作点，以便采取差动式结构，偏置磁场的大小由永磁体(7)的磁场强度及永磁体(7)到探头(1)、(2)的距离决定；

(3)振荡及整流电路(3)、(4)均由科比茨振荡电路(11)、前置放大电路(12)和整流电路(13)组成，科比茨振荡电路(11)为探头提供高频交流信号，前置放大电路(12)的输入端接非晶带单元(8)的两端，经其放大的非晶带单元(8)两端的信号由输出端接整流电路(13)，整流电路(13)将非晶带产生的高频交流信号转化为二倍交流信号峰值的直流信号U₁、U₂；

(4)上述直流信号U₁、U₂接调零输出放大器(5)，经运算调零后送数字显示器(6)，即测得待测电流I。

2.如权利要求1所述的阵列式巨磁阻抗效应电流传感器，其特征在于：科比茨振荡电路(11)是由截止频率为3～60MHz的晶体管(20)构成，其基极与直流电源V_cc间、基极与地间的两个分压电阻(16)、(17)的阻值相等；频率为1～20MHz的晶体振荡器(15)和起振电容(14)串接在基极与地之间；探头(1)的一端接地，另一端与负载电阻(21)串联后连接晶体管的发射极，探头(1)作发射极负载的一部分存在。

3.如权利要求1所述的阵列式巨磁阻抗效应电流传感器，其特征在于：阵列式电流传感器探头(1)、(2)是由4～30个具有良好软磁特性的长方形非晶带单元(8)由铜线(9)串联焊接起来的，非晶带单元长为5～25mm，宽为0.5～10mm，厚10um～40um，两个非晶带单元的距离为0.5～10mm；两个阵列式的探头(1)、

(2)对称的放在通电导线(10)的两侧，导线到阵列式传感器探头的距离均为1～20mm。

4.如权利要求1所述的阵列式巨磁阻抗效应电流传感器，其特征在于：非晶带单元(8)采用巨磁阻抗变化率大于30％-50％的Co非晶带或Fe基纳米晶材料的薄带。

5.如权利要求4所述的阵列式巨磁阻抗效应电流传感器，其特征在于：非晶带单元(8)是CoFeSiB非晶材料。

6.如权利要求1所述的阵列式巨磁阻抗效应电流传感器，其特征在于：用铁氧体或铷铁硼永磁体(7)来提供偏置磁场H_b，偏场范围为10～30Oe。

7.如权利要求6所述的阵列式巨磁阻抗效应电流传感器，其特征在于：偏置磁场H_b的工作范围为10～20Oe。

8.如权利要求1所述的阵列式巨磁阻抗效应电流传感器，其特征在于：所说的晶体振荡器(15)的频率范围是2～5MHz。