[实用新型]一种静电放电保护电路无效
申请号: | 200720097114.8 | 申请日: | 2007-08-20 |
公开(公告)号: | CN201146186Y | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 戴宇杰;张小兴;吕英杰;黄维海;王洪来 | 申请(专利权)人: | 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60 |
代理公司: | 国嘉律师事务所 | 代理人: | 王里歌 |
地址: | 300457天津市开*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 保护 电路 | ||
1、一种静电放电保护电路,包括待保护的I/O端子,其特征在于它包括电源静电放电总线端子和静电放电保护组件;其中所说的静电放电保护组件包括晶体管,其一端连接电源静电放电总线端子,另一端连接待保护的I/O端子。
2、根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路,其特征在于所说的静电放电保护组件包括二极管和电阻。
3、根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路,其特征在于所说的待保护的I/O端子是正电源端子、接地电源端子、混合式电压电源端子和中间电平的输入输出端子中的至少一种。
4、根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路,其特征在于所说的电源静电放电总线端子是正电源端子、接地电源端子和混合式电压电源端子中的至少一种。
5、根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路,其特征在于所说的电源静电放电总线端子是正电源端子,待保护的I/O端子是接地电源端子,晶体管是2个低压N型半导体;其中所说的2个低压N型半导体相互串联,且每一个低压N型半导体都采用二极管连接方式;所说的一个低压N型半导体的漏极连接正电源端子,另一个低压N型半导体的源极连接地电源端子。
6、根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路,其特征在于述所说的电源静电放电总线端子是混合式电压电源端子,待保护的I/O端子是接地电源端子,晶体管是一个高压P型半导体;所说的高压P型半导体的栅极和衬底都连接最高电位,即正电源端子,高压P型半导体的源极连接地电源端子,漏极连接混合式电压电源端子。
7、根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路,其特征在于所说的电源静电放电总线端子是正电源端子,待保护的I/O端子是混合式电压电源端子,静电放电保护组件是三组高压NMOS管和电阻的组合;所说的每一组高压NMOS管和电阻相互串联连接,三组之间采用并联方式连接,且三个高压NMOS管的栅极和源极连接,并与混合式电压电源端子连接,高压NMOS管的漏极和电阻串联,电阻的另一端与正电源端子相连。
8、根据权利要求2或7中所述的一种静电放电保护电路,其特征在于所说的静电放电保护组件中的电阻是小阻值的Poly电阻,其阻值为60~150欧姆。
9、根据权利要求1中所述的一种静电放电保护电路,其特征在于所说的电源静电放电总线端子是正电源端子,待保护的I/O端子是中间电平的输入输出端子,静电放电保护组件是2个低压N型半导体和二极管;其中所说得二极管把中间电平输入输出端子与正电源端子相连,二极管PN结的P端与中间电平输入输出端子相连,二极管PN结的N端和正电源端子相连;所说的2个低压N型半导体的连接方式为二极管连接方式,且两者相互串联,将中间电平输入输出端子与接地电源端子连接;所说的一个低压N型半导体的漏极连接中间电平输入输出端子,另一个低压N型半导体的源极连接地电源端子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津南大强芯半导体芯片设计有限公司,未经天津南大强芯半导体芯片设计有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720097114.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:含油污水处理汽浮装置
- 下一篇:一种摄像头的测试夹具