[实用新型]高效光电转换装置

说明书

技术领域

本实用新型属于光电转换制品制造领域，涉及一种光电转换装置，特别涉及一种高效光电转换装置。

背景技术

普照大地的太阳光中蕴涵着无限的能量，随着人们对环境保护的重视以及石油等能源价格的飚升，寻找可代替的能源成为当今社会的焦点，太阳能作为一种清洁的、没有任何污染的绿色能源，以及太阳能发电做为动力供应主要来源之一的可能性，已日益引起人们关注。

中国专利公开说明书CN03120662.X公开了一种光电转换装置及其制造方法，涉及一种可以提高晶体硅类半导体和非晶体硅类半导体的界面特性，改善结合特性的光电转换装置。这种光电转换装置具有一种导电型的导入有杂质的晶体类半导体，形成在所述导电型晶体类半导体上的、基本上为真正的非晶体类半导体薄膜，以及形成在这种基本上为真正的非晶体类半导体薄膜上的、同种导电型的导入有杂质或其他种导电型杂质的非晶体类半导体薄膜，而且在由所述晶体类半导体和基本上为真正的非晶体类半导体薄膜形成的界面处，还使减少所述基本上为真正的非晶体类半导体薄膜的平均配位数目用的原子浓度比主体中的浓度高。但其制造方法复杂，生产成本较高。

中国专利200610082461.3提供了一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。这种光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。

中国专利公开说明书CN200480004033.8提供了一种薄膜光电转换装置，特别是提供一种集成化薄膜光电转换装置，它在包含结晶硅光电转换单元的薄膜光电转换装置中，通过不使开放端电压和填充因数变小来改善光电转换效率。该薄膜光电转换装置，是在透明基板一侧的主面上至少把透明电极膜、结晶硅光电转换单元和背面电极膜顺序形成的薄膜光电转换装置，形成所述结晶硅光电转换单元后，在其表面的一部分上具有白浊变色区域。所述白浊变色区域最好是小于或等于光电转换区域面积的5％。而且最好是制成集成化薄膜光电转换装置。然而，该装置之主要缺点是光电转化率不高。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种简单、高光电转化率的光电转换装置，以克服现有光电转换装置存在的缺陷。

本实用新型的一个显著特点是：本实用新型涉及的光电转换装置的衬底的表面和/或底面为凹凸形状结构，以致该装置能最大范围地吸收光量，可大幅度地提高其光电转换效率。

本实用新型的另一个显著特点是：本实用新型涉及的光电转换装置由多个具有不同能带隙的光吸收区串联式组成，以致该装置能吸收各种不同波长的太阳光/能，可大幅度地提高其光电转换效率。

本实用新型所涉及的光电转换装置的衬底的底面和/或表面具有凹凸形状结构，在该衬底的表面或底面覆有金属背电极层、过渡层、透明导电层、能带隙约等于0.67eV的单层或多层叠合式光吸收区1、透明缓冲层、透明导电层、能带隙约等于1.25eV的单层或多层叠合式光吸收区2、透明缓冲层、能带隙大于等于1.8eV的单层或多层叠合式光吸收区3、透明缓冲层、透明导电层、集电栅/电极和/或减反射膜层。

所述的衬底的厚度为0.1微米～10毫米，凹凸深度或高度为10纳米～25微米、间距为10纳米～25微米；其材料选自高分子材料、高分子材料基混合物、高分子材料基复合物、高分子材料/金属层合物、硅、陶瓷、玻璃或金属材料制成的箔、膜、片或板块。

本实用新型所涉及的光电转换装置的金属背电极层的厚度为0.01～10微米；其材料选自钼、镍、铌、铜、铝、含钠碱金属或它们中两种或两种以上的合金。所述的过渡层的厚度为10～200纳米；其材料选自氧化锌或硫化锌。

本实用新型所涉及的光电转换装置的光吸收区的厚度分别为30纳米～10微米；其中，光吸收区1的基材包括钠、镓、铟、磷中的一种和/或多种元素组成的化合物，光吸收区2的基材包括钙、锆、锌、铜、硒、硫、第IIIA族、第VA族元素中的一种和/或多种元素组成的化合物，光吸收区3的基材包括锗、铟、氮中的一种和/或多种元素组成的化合物。