[实用新型]高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线有效

专利信息
申请号: 200720101905.3 申请日: 2007-07-10
公开(公告)号: CN201060943Y 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 牛传峰;杨可忠;杨兵;阮云国;冯贞国;毛贵海;耿京朝 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
主分类号: H01Q21/24 分类号: H01Q21/24;H01Q13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 050081河北省石家*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 增益 双线 极化 波导 阵列 天线
【权利要求书】:

1.一种高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线,其特征在于:它包括辐射层(1)、水平极化或圆极化馈电波导层(2)、垂直极化馈电波导层(3)、垂直极化馈电波导盖板(4);

所述的辐射层(1)包括有M×N个辐射单元(11)组合成阵列辐射口面,M或N为大于1的自然数,每个辐射单元(11)上表面设有1至16个辐射口(12),每个辐射单元(11)下表面设有谐振腔体(13),辐射口(12)与谐振腔体(13)之间设有耦合通孔(14);

所述的水平极化或圆极化馈电波导层(2)设置在辐射层(1)的下部,水平极化或圆极化馈电波导层(2)上表面设有耦合通孔(21),耦合通孔(21)与辐射层(1)下表面的谐振腔体(13)相对应,耦合通孔(21)下方设有波导孔(22),耦合通孔(21)与波导孔(22)之间对应连接,水平极化或圆极化馈电波导层(2)下表面设有波导凹槽(23),波导孔(22)侧壁上设有耦合通孔(24),耦合通孔(24)与波导凹槽(23)相连接,波导凹槽(23)的弯角处设有过渡台阶(25);

所述的垂直极化馈电波导层(3)设置在水平极化或圆极化馈电波导层(2)的下部,垂直极化馈电波导层(3)的上表面设有波导凹槽(31),垂直极化馈电波导层(3)下表面设有波导凹槽(32),波导凹槽(31)与水平极化或圆极化馈电波导层(2)下表面的波导凹槽(23)相对应,波导凹槽(31)的末端设有耦合孔(35),耦合孔(35)与水平极化或圆极化馈电波导层(2)下表面设有的波导孔(22)相对应,波导凹槽(32)末端设有耦合孔(33),耦合孔(33)与耦合孔(35)之间设有过渡台阶(34),波导凹槽(32)的弯角处设有过渡台阶(36);

所述的垂直极化馈电波导盖板(4)设置在垂直极化馈电波导层(3)的下部,垂直极化馈电波导盖板(4)上表面设有波导凹槽(41),波导凹槽(41)与垂直极化馈电波导层(3)下表面的波导凹槽(32)相对应,波导凹槽(41)的弯角处设有过渡台阶(42),垂直极化馈电波导盖板(4)下表面为平板结构。

2.根据权利要求1所述的高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线,其特征在于:辐射单元(11)上表面设有的辐射口(12)其形状为正方形、或正多边形、或圆形、或十字缝隙形、或带有倒角的正方形、或带有倒角的正多边形。

3.根据权利要求1所述的高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线,其特征在于:辐射口(12)与谐振腔体(13)之间设有的耦合通孔(14)其形状为正方形、或正多边形、或圆形、或十字缝隙形、或带有倒角的正方形、或带有倒角的正多边形。

4.根据权利要求1所述的高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线,其特征在于:辐射单元(11)下表面设置的谐振腔体(13)其形状为正方形、或正多边形、或圆形、或带有倒角的正方形、或带有倒角的正多边形。

5.根据权利要求1所述的高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线,其特征在于:水平极化或圆极化馈电波导层(2)上表面设有的耦合通孔(21)其形状为正方形、或正多边形、或圆形、或十字缝隙形、或带有倒角的正方形、或带有倒角的正多边形。

6.根据权利要求1所述的高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线,其特征在于:耦合通孔(21)下方设有波导孔(22)其形状为正方形、或正多边形、或圆形、或十字缝隙形、或带有倒角的正方形、或带有倒角的正多边形。

7.根据权利要求1所述的高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线,其特征在于:波导孔(22)的另外侧壁设有水平耦合探针(26)、垂直耦合探针(27),水平耦合探针(26)、垂直耦合探针(27)与微带线馈电网络、或带状线馈电网络连接。

8.根据权利要求1所述的高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线,其特征在于:所述的辐射层(1)、水平极化或圆极化馈电波导层(2)、垂直极化馈电波导层(3)、垂直极化馈电波导盖板(4)由合成树脂材料、或铝合金板、或钢板、或铜板材料制成,合成树脂材料表面涂覆有导电层。

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