[实用新型]三轴集成压阻式加速度传感器有效

专利信息
申请号: 200720102808.6 申请日: 2007-10-19
公开(公告)号: CN201083760Y 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 杨拥军;徐淑静;何洪涛 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: G01P15/12 分类号: G01P15/12;G01P15/18
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 代理人: 张明月
地址: 050051河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 集成 压阻式 加速度 传感器
【权利要求书】:

1.三轴集成压阻式加速度传感器,包括三个相互独立的硅MEMS压阻式加速度传感器,其特征在于:测量X向和Y向加速度信号的两个硅MEMS加速度传感器的结构相同,它们都包括硅框架、质量块、扭转梁、敏感梁以及设置在敏感梁上表面的压敏电阻,质量块和硅框架之间通过支撑梁和敏感梁连接;上述两个硅MEMS压阻式加速度传感器在平面内垂直分布,第三个用于测量Z方向的加速度信号的压阻式加速度传感器的压敏电阻也设置在悬臂梁的上表面。

2.根据权利要求1所述的三轴集成压阻式加速度传感器,其特征在于测量X向和Y向加速度信号的两个硅MEMS压阻式加速度传感器具体结构为:包括硅框架、质量块、敏感梁及位于敏感梁上的压敏电阻,敏感梁互相对称的设置在质量块的两侧,敏感梁的厚度小于质量块的厚度,在敏感梁的上表面设置有压敏电阻;在质量块的另外两个侧面上设置有厚度大于敏感梁的支撑梁。

3.根据权力要求1所述的三轴集成压阻式加速度传感器,其特征在于:测量Z向加速度信号的压阻式加速度传感器由硅框架、质量块、悬臂梁以及设置在悬臂梁上表面的压敏电阻组成,质量块位于硅框架中并通过悬臂梁与硅框架连接成一体,质量块的每个侧面和硅框架之间有一个或多个悬臂梁,四个侧面的悬臂梁数量相等并对称分布,悬臂梁的一端或两端制作有检测应力大小的压敏电阻。

4.根据权利要求1所述的三轴集成压阻式加速度传感器,其特征在于:三个硅MEMS压阻式加速度传感器采用完全相同的工艺制作在一个芯片上。

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