[实用新型]单片集成的硅胎压温度传感器无效
| 申请号： | 200720103715.5 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN201057517Y | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张兆华;林惠旺;刘理天;任天令 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02;B60C23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市100*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单片 集成 硅胎压 温度传感器 | ||
【权利要求书】：
1.单片集成的硅胎压温度传感器，其特征在于：该传感器含有结构芯片、封装盖板、压力敏感电阻以及温度敏感电阻，其中：结构芯片，中间有一个硅杯，该硅杯的中央有一片硅膜，硅膜的周围支撑的是厚体硅；压力敏感电阻，共四个，分别位于硅膜边界内应力敏感集中区，构成一个惠斯通电桥，形成一个压力传感器；温度敏感电阻，位于周围厚体硅非应力敏感区，形成一个温度传感器；密封盖板，连接在结构芯片的下端面。
2.根据权利要求1所述的单片集成的硅胎压温度传感器，其特征在于：所述硅膜片是方形、或圆形、或矩形、或多边形。
3.根据权利要求1所述的单片集成的硅胎压温度传感器，其特征在于：所述压力敏感电阻由硅单晶、或多晶硅、或非晶硅、或压敏金属材料构成。
4.根据权利要求1所述的单片集成的硅胎压温度传感器，其特征在于：所述温度敏感电阻由硅单晶、或多晶硅、或非晶硅、或温敏金属材料构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720103715.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
