[实用新型]一种ZnO基发光二极管无效
| 申请号： | 200720111809.7 | 申请日： | 2007-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN201084747Y | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;曾昱嘉;卢洋藩;徐伟中 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种ZnO基发光二极管，其特征是以ZnO为基，在衬底(1)的一面自下而上依次沉积有n-ZnO薄膜层(2)、n-Zn1-xMgxO薄膜层(3)、0＜x＜0.6，ZnO量子阱层(4)、p-Zn1-xMgxO薄膜层(5)、0＜x＜0.6，p-ZnO薄膜层(6)和第二电极(8)，在衬底(1)的另一面沉积有第一电极(7)，其中ZnO量子阱层由z个周期的ZnO/Zn1-yMgyO量子阱层构成，0＜y＜0.5，z值为5～10。
2.根据权利要求1所述的ZnO基发光二极管，其特征是衬底为硅、氧化锌或氮化镓。
3.根据权利要求1所述的ZnO基发光二极管，其特征是第一电极(7)为Ti/Au合金，第二电极(8)为Ni/Au合金。
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