[实用新型]硅光电检测器

权利要求书

1.一种硅光电检测器，包括下部的N⁺层、中部的非掺杂本征层、上部含有P⁺型浓硼扩散层的硼扩散区，N⁺层的下表面设置有N型欧姆接触层，非掺杂本征层上端设有绝缘层，绝缘层上设置有与所述P⁺型浓硼扩散层接触的P型欧姆接触层，绝缘层上具有一个通过光刻形成的入射光窗口，硼扩散区位于该入射窗口的下方，非掺杂本征层位于N⁺层与硼扩散区之间，其特征在于：所述硼扩散区还包含有一P型淡硼扩散层，该P型淡硼扩散层位于非掺杂本征层与P⁺型浓硼扩散层之间，所述硼扩散区的面积小于非掺杂本征层的面积，P⁺型浓硼扩散层的厚度小于P型淡硼扩散层的厚度，一钝化薄膜层覆盖于P型欧姆接触层表面和入射光窗口底部。

2.根据权利要求1所述的硅光电检测器，其特征在于：所述硼扩散区的P⁺型浓硼扩散层为硼离子扩散浓度为1×10¹⁹cm^-3～1×10²⁰cm^-3的浓硼扩散层；P型淡硼扩散层为硼离子扩散浓度为1×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁸cm^-3的淡硼扩散层。

3.根据权利要求1所述的硅光电检测器，其特征在于：所述硼扩散区的P⁺型浓硼扩散层的厚度为0.1μm，P型硼扩散区的淡硼扩散层的厚度为0.5μm。

4.根据权利要求1所述的硅光电检测器，其特征在于：所述绝缘层是通过氧化生成的SiO₂薄膜层。