[实用新型]半导体机台的改良结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体机台的改良结构，特别是有关于一种具有沉积物挡板以降低沉积污染物附着、提高使用效率的半导体机台的改良结构。

背景技术

如图1所示的现有半导体机台10，其中包括一外盖11、一背板12、一靶材绝缘板13、以及一靶材14。靶材绝缘板13用于连接外盖11与背板12。靶材14则通过靶材绝缘板13连接于外盖11上。一般而言，半导体制程如沉积等制程常产生溅击类污染物且附着于靶材绝缘板上，此溅击类污染物为溅镀过程中靶材被溅击后呈粒子状态分布于半导体机台10内，并随沉积制程进行多次以后逐渐累积于外盖11内侧(未标示)与靶材绝缘板13上。溅镀过程中须保持靶材14与外盖11电性正负极不同的关系，因靶材14与外盖11常为金属等具有电传导的材料所制成，故需要加入靶材绝缘板13以避免靶材14与外盖11之间电性连接。又因溅镀过程中靶材14与外盖11之间须保持电性正负极不同，而经多次溅击制程后，靶材被溅击出来的粒子会逐渐沉积于靶材绝缘板13。此沉积的溅击粒子污染物因与靶材材质相同，故易造成靶材14与外盖11电性连接，而导致靶材绝缘板13的绝缘功能失效，进而中断制程或降低机台使用效率。

因此，提供降低溅击沉积物附着于靶材绝缘板上功能的半导体机台，便成为提高半导体制程品质与效率的重要关键之一。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种半导体机台的改良结构，特别是一种具有沉积物挡板以降低沉积污染物附着、提高操作效率的半导体机台的改良结构。

为达上述目的，本实用新型提供一种半导体机台的改良结构，其包括：一外盖；一背板；一靶材绝缘板，设置于该外盖与该背板之间；一靶材，通过该靶材绝缘板连接于该外盖；以及一沉积物挡板，具有一顶面，该顶面邻接且不直接接触该靶材绝缘板。

本实用新型的有益技术效果在于，本实用新型的半导体机台借助沉积物挡板吸附沉积污染物，以达到降低靶材绝缘板上沉积污染物附着的效果，进而提高半导体机台操作效率。

本实用新型中所叙述的半导体机台的改良结构，可用于晶圆沉积等制程中。

附图说明

图1为现有半导体机台示意图；

图2A为半导体机台的改良结构的剖面示意图；

图2B为半导体机台的改良结构的局部范围A的详细示意图。

图中符号说明

10现有半导体机台  11外盖

12背板            13靶材绝缘板

14靶材

20半导体机台      21外盖；

22背板            23靶材绝缘板

24靶材            25沉积物挡板

251顶面           252斜面

26第一沉积物      261主要附着部分

27第二沉积物      A局部范围

具体实施方式

以下以具体的实施例，对本实用新型揭示的各形态内容加以详细说明。

参照图2A，图2A为根据本实用新型所提供的一种半导体机台的改良结构20的示意图，其中包括一外盖21、一背板22、一靶材绝缘板23、一靶材24、以及一沉积物挡板25。靶材绝缘板23设置于外盖21与背板22之间。而靶材24通过靶材绝缘板23连接于外盖21上。沉积物挡板25具有一顶面251，此顶面251邻接且不直接接触于靶材绝缘板23。亦即，在顶面251与靶材绝缘板23之间有一空隙，此空隙具有阻隔溅击粒子(未显示)以降低溅击粒子附着于靶材绝缘板23的功能。当沉积物挡板25上沉积的溅击粒子达到一饱和量时，只需抽换沉积物挡板25即可。此外，针对不同种类的溅击粒子的不同空隙需求，只需抽换专用的沉积物挡板25，此空隙会随之改变，故沉积物挡板25为一方便又好用的结构。此半导体机台20通过沉积物挡板25达到吸附靶材污染物以降低靶材绝缘板23上污染物附着的效果，以提高半导体机台20的操作效率。

进一步说明，半导体机台20为一晶圆沉积制程室，可于其中进行晶圆沉积等半导体制程。