[实用新型]一种PWM转直流电压电路有效
申请号: | 200720127574.0 | 申请日: | 2007-08-06 |
公开(公告)号: | CN201091061Y | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 游守德;黎清胜 | 申请(专利权)人: | 游守德茂达电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/10 | 分类号: | H02M3/10;H02M3/06;H02M3/155 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pwm 直流 电压 电路 | ||
1.一种PWM转直流电压电路,由电源端依序串联有第一被动组件、第二被动组件与第三被动组件,在所述的第二被动组件与所述的第三被动组件之间并联有一主动组件,而所述的第一被动组件与所述的第二被动组件间分别并联有储能组件与输出端,其特征在于:
所述的第一被动组件与第二被动组件之间并联有一第四被动组件,且所述的第四被动组件接续并联有一储能组件与一输出端,且所述的第四被动组件的额定值至少为第一被动组件的额定值三倍。
2.根据权利要求1所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的第一被动组件、第二被动组件、第三被动组件与第四被动组件为线绕电阻,金属膜电阻,合金膜电阻,氧化金属模电阻器,碳膜电阻,碳质固态电阻,水泥电阻其中之一。
3.根据权利要求1所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的主动组件为双极接面晶体管、场效应晶体管、接面型场效应晶体管、金属氧化物半导体其中之一。
4.根据权利要求1所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的储能组件为陶瓷电容、电解电容、钽电容其中之一。
5.根据权利要求1所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的第四被动组件两端还并联一类开关组件。
6.根据权利要求5所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的类开关组件为萧特基二极管。
7.一种PWM转直流电压电路,由电源端依序串联有第一被动组件与第三被动组件,而所述的第一被动组件与第三被动组件间分别并联有一第二被动组件、一储能组件、一输出端,且所述的第二被动组件接续串联有一主动组件,其特征在于:
所述的第一被动组件与第三被动组件之间并联有一第四被动组件,且所述的第四被动组件接续并联有所述的储能组件与输出端,且所述的第四被动组件的额定值至少为所述的第一被动组件的额定值三倍。
8.根据权利要求7所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的第一被动组件、第二被动组件、第三被动组件与第四被动组件为线绕电阻,金属膜电阻,合金膜电阻,氧化金属模电阻器,碳膜电阻,碳质固态电阻,水泥电阻其中之一。
9.根据权利要求7所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的主动组件可为双极接面晶体管、场效应晶体管、接面型场效应晶体管、金属氧化物半导体其中之一。
10.根据权利要求7所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的储能组件为陶瓷电容、电解电容、钽电容其中之一。
11.根据权利要求7所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的第四被动组件两端还并联一类开关组件。
12.根据权利要求11所述的PWM转直流电压电路,其特征在于:所述的类开关组件为萧特基二极管。
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