[实用新型]具有隔离墙和超薄P+阳极的快软恢复二极管芯片

权利要求书

1、一种具有隔离墙和超薄P⁺阳极的快软恢复二极管芯片，包括基区N，依次设置在基区上面的磷扩散区N⁺和阴极K，依次设置在基区下面的浓硼扩散区P⁺和阳极A，基区周边与阴极和阳极之间设置的槽型玻璃钝化台面，其特征在于：所述基区N的周边为无激光孔隔离区域，通过P型杂质源扩散形成隔离墙，无激光孔隔离区域的上端内侧与阴极之间设置槽型玻璃钝化台面；且浓硼扩散区P⁺的厚度为10-50um。

2、根据权利要求1所述的一种具有隔离墙和超薄P⁺阳极的快软恢复二极管芯片，其特征在于：所述浓硼扩散区P⁺的最佳厚度为20-30um。

3、根据权利要求1所述的一种具有隔离墙和超薄P⁺阳极的快软恢复二极管芯片，其特征在于：所述无激光孔隔离区域的上端内侧与阴极之间设置槽型玻璃钝化台面的槽深为20-50um。

4、根据权利要求3所述的一种具有隔离墙和超薄P⁺阳极的快软恢复二极管芯片，其特征在于：所述槽型玻璃钝化台面的最佳槽深为35um。