[实用新型]发光二极管芯片、侧边入光式背光模组与直下式背光模组

权利要求书

1. 一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

一反射层；

一第一型半导体层，配置于该反射层上；

一主动层，配置于该第一型半导体层上；

一第二型半导体层，配置于该主动层上；

一第一电极层，与该第一型半导体层电性连接；

一第二电极层，配置于该第二型半导体层上；以及

一滤光结构，配置于该第二电极层上。

2. 如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该滤光结构包括多个第一滤光薄膜与多个第二滤光薄膜，且该些第一滤光薄膜与该些第二滤光薄膜交互堆叠。

3. 如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该第一滤光薄膜的材料为氧化硅。

4. 如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该第二滤光薄膜的材料为氧化钛。

5. 如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该滤光结构还包括多个第三滤光薄膜，且该些第一滤光薄膜、该些第二滤光薄膜与该些第三滤光薄膜交互堆叠。

6. 如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，该第三滤光薄膜的材料为氧化钽。

7. 如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该第一型半导体层为N型掺杂半导体层，而该第二型掺杂半导体层为P型掺杂半导体层。

8. 如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该主动层为多重量子阱层。

9. 如权利要求1所述的发光二极管芯片，更包括一基板，配置于该反射层与该第一型半导体层之间。

10. 如权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于，该基板的材料包括蓝宝石、碳化硅、氧化锌、硅、铜或玻璃。

11. 如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该反射层的材料包括铝(Al)、银(Ag)或介电材质多层膜或介电材质多层膜(TiO2/SiO2)。

12. 如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，该滤光结构能反射波长为450～525nm的光线。

13. 一种侧边入光式背光模组，其特征在于，包括：

一外框；

一导光板，配置于该外框内，其中该导光板具有至少一入光侧面与一出光顶面；

多个发光二极管，配置于该导光板的该入光侧面旁；以及

一滤光结构，配置于该导光板的该入光侧面与该些发光二极管之间。

14. 如权利要求13所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，该滤光结构包括多个第一滤光薄膜与多个第二滤光薄膜，且该些第一滤光薄膜与该些第二滤光薄膜交互堆叠。

15. 如权利要求14所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，该第一滤光薄膜的材料为氧化硅。

16. 如权利要求14所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，该第二滤光薄膜的材料为氧化钛。

17. 如权利要求14所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，该滤光结构还包括多个第三滤光薄膜，且该些第一滤光薄膜、该些第二滤光薄膜与该些第三滤光薄膜交互堆叠。

18. 如权利要求17所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，该第三滤光薄膜的材料为氧化钽。

19. 如权利要求13所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，还包括一光学膜片组，配置于该导光板的该出光顶面上方。

20. 如权利要求19所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，该光学膜片组包括扩散片、增光片、棱镜片与滤光结构的至少其中之一。

21. 如权利要求13所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，该些发光二极管包括红光发光二极管、绿光发光二极管与蓝光发光二极管。

22. 如权利要求13所述的侧边入光式背光模组，其特征在于，该滤光结构能反射波长为450～525nm的光线。