[实用新型]减少噪声之音频放大器无效

专利信息
申请号: 200720139643.X 申请日: 2007-03-19
公开(公告)号: CN201018457Y 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 龚永庚 申请(专利权)人: 奇高电子股份有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/30
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜;陈肖梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 减少 噪声 音频 放大器
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种减少噪声之音频放大器,其待机耗电量(stand-by current)极低,且能够消除开机/关机时之突波噪声。

背景技术

图1以示意电路图显示公开技术之音频放大器的大致结构。如图所示,此种已知的音频放大器利用两组放大器11、12串联得到所需要之功率输出,但是由于两级放大器反应时间不同,如图2所示,在开机与关机期间,输出端VOUT+及VOUT-之电位无法保证相同;在不平衡的状态下,会有噪声产生,导致负载端之扬声器会产生爆音或杂音(pops and clicks)。

针对上述缺点,在美国专利第5642074号中提出改进,如图3所示,藉由比较器130的作用,于开机时使开关122导通构成短路,旁通电阻RF1,意图藉此使输出端VOUT+及VOUT-之电位在开机时维持平衡。此外,在该案中设有待机控制,当音频放大器进入静止状态时,可通过输入待机控制讯号143,切换开关142,以在待机状态时,减少自供应电压V+经过电阻R3、R4接地流失的电能耗损,并关闭放大器11、12。该案中亦揭示了如图4所示的另一个实施例,其为图3电路的变化,仅改变开关的设置位置而已,原理相似。

上述公开技术之同一申请人,在同一概念下,又获得了美国专利第5648742,5703529,5939938及6346854号,其电路结构均十分相似。

然而,上述公开技术并未能完全解决突波噪声的问题。详言之,第一级放大器11之增益由电阻RF1和电阻RI1之比值RF1/RI1来决定,在集成电路应用中,此增益值是由使用者来设定,一般使用RF1/RI1=1到10。但上述公开技术仅在增益比值设定为1时,才能确实得到如图5所示之平滑电位上升图形而不致产生噪声,当增益比值设定大于1时则不然。此因,该公开技术通过开关122的切换,来控制开机初期VOUT-的变化,在电源启动后的初始阶段,令开关122导通,此时电阻RF1被旁通而不发生作用,第一级放大器11之增益为1(unit gain);之后当电路进入正常工作状态时,比较器130切断开关122而令电阻RF1成为有效回路,此时第一级放大器11之增益由RF1/R11的比值决定,而当此比值不为1时,例如为5,则在开关122切换之时,第一级放大器11之增益由1瞬间改变为5,此时仍会产生突波噪声,如图6。此噪声仍会使负载扬声器产生杂音,且增益愈大时,情况愈严重,尤其是可携式之耳机放大器中,更为恶劣。

除上述缺点外,在待机状态中,上述公开技术仍有一条自供应电压V+经过电阻R5、R6接地的耗电路径存在,且比较器130不能关闭,否则将影响开关122的正确性,因此当音频放大器进入静止状态时,其耗电之控制并不为最佳。而低耗电对于可携式产品应用而言极为重要。

发明内容

有鉴于以上所述,本实用新型的目的便是要提出较佳之电路结构,以解决上述两项问题。

根据上述目的,本实用新型乃提出一种减少噪声之音频放大器,其包含:第一级与第二级放大器,其输出分别供应给一扬声器;与第一级放大器并联之第一电阻,及与第一级放大器之一输入串联之第二电阻;与第二级放大器并联之第三电阻,及与第二级放大器之一输入串联之第四电阻,其中该第一级放大器之输出亦与此第四电阻连接;以及与第一电阻并联之可变电阻,此可变电阻与第一电阻构成一可变电阻值并联回路,且此可变电阻具有至少三种之电阻值,并以电阻值可以连续变化为佳。该可变电阻于电路启动初期为低阻值,当供应电压进入正常工作区时(包括同时或之后),该可变电阻之电阻值上升,使该并联回路之电阻值接近或等于第一电阻之电阻值。

上述可变电阻可以包括彼此串联的一个开关和一个可变电阻元件,且音频放大器中可更包含一比较器,其输出储存于一拴锁电路中,并以该拴锁电路之输出控制所述开关;如此,在电路待机时,便可关闭该比较器。

在其中一个实施型态中,该比较器之输出,根据两讯号之比较而得,该两讯号其一为供应电压之一分压,另一为该供应电压之另一分压,加上对一电容器充电之电压值。

以下将通过对具体实施例详加说明,当更容易了解本实用新型之目的、技术内容、特点及其所达成之功效。

附图说明

图1为示意电路图,显示公开技术之音频放大器的大致结构。

图2为波形图,用以说明公开技术之缺点。

图3与图4分别示出公开技术之两种电路结构。

图5与图6为波形图,用以说明公开技术之缺点。

图7与图8为示意电路图,说明本实用新型之概念。

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