[实用新型]观察硅片样品断面的样品台无效

专利信息
申请号: 200720144307.4 申请日: 2007-11-22
公开(公告)号: CN201122096Y 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 裘莺 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G01B11/00 分类号: G01B11/00;G01B11/24;G01B9/04;G01N13/10
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 丁纪铁
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 观察 硅片 样品 断面
【权利要求书】:

1.一种观察硅片样品断面的样品台,包括底座和与底座相配合的放置样品的平台,其特征在于,放置样品的平台表面设有活动槽,每条活动槽设有调节活动槽宽度的活动槽宽度调节装置。

2.根据权利要求1所述的观察硅片样品断面的样品台,其特征在于,活动槽将放置样品的平台表面分为多个区域,并以字母或者数字区分平台表面的不同区域。

3.根据权利要求1或2所述的观察硅片样品断面的样品台,其特征在于,放置样品的平台表面设有4条活动槽。

4.根据权利要求1或2所述的观察硅片样品断面的样品台,其特征在于,活动槽设于距离放置样品的平台表面边缘8mm处。

5.根据权利要求1或2所述的观察硅片样品断面的样品台,其特征在于,活动槽深度为0.2mm。

6.根据权利要求1或2所述的观察硅片样品断面的样品台,其特征在于,活动槽可以活动的宽度范围为0.2mm至1mm。

7.权利要求1所述的观察硅片样品断面的样品台,其特征在于,放置样品的平台长40mm,宽24mm,厚8mm。

8.权利要求1所述的观察硅片样品断面的样品台,其特征在于,样品台为金属材质。

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