[实用新型]化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

化学气相沉积(CVD)设备以其可制造薄膜均匀，覆盖性好特点成为半导体器件制造工艺中的常用制膜设备，在CVD法中，先分解气态原料，然后反应，从而沉积薄膜。

化学气相沉积反应通常都在沉积设备的反应腔中进行的，化学气相沉积设备的结构是多种多样的，例如申请号为200610078524.8的中国专利申请给出的三种现有的化学气相沉积设备的结构图。但是，无论怎样的化学气相沉积设备，都包括反应腔，所述的反应腔内，都具有用于将反应气体注入晶圆表面的一个或者一个以上的喷头。

参考附图1所示，为现有的一种化学气相沉积设备的反应腔上部的截面结构示意图，如图中所示，100为反应腔室的一个反应腔盖板，110为反应腔盖板上连接的若干喷头中的一个，反应气体通入反应腔之后，通过喷头110将反应气体均匀的注入到晶圆的表面。所述喷头110通过连接杆130与反应腔盖板100相连接，所述的每个连接杆130上都设置有位置固定件140，用于调节喷头的位置，附图中管道120为通入反应气体的管道。通常，反应腔内还包括位于反应腔下部的加热体以及位于加热体上的支撑体，支撑体用于放置晶圆，所述加热体用于对反应腔内以及晶圆加热。

在化学气相沉积反应中，要求喷头与晶圆表面平行，以在晶圆表面得到厚度均匀的膜层，当晶圆表面膜层厚度分布不均时，这就需要调节喷头的位置，以使其保持与晶圆表面平行的状态。现有技术中，由于喷头和用于调节喷头位置的位置固定件都位于反应腔内，需要调节喷头位置时，通常要打开反应腔。由于反应腔内的温度较高，通常达到400摄氏度左右，每次打开反应腔后，需要较长的时间冷却设备，如果冷却的时间不够，设备维护人员调整反应腔内喷头的位置时，还需要穿着专门的服装以及手套进行防护，以防止烫伤。因此，现有的化学气相沉积设备在设备调试和维修时不仅存在安全的隐患，而且操作不便，浪费时间。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型解决的技术问题是提供一种化学气相沉积设备，以解决现有技术中化学气相沉积设备调整喷头位置时必须打开反应腔的缺陷。

一种化学气相沉积设备，包括：反应腔盖板，若干喷头、位置固定件以及连接杆，所述连接杆的一端与喷头固定连接，另一端贯穿所述反应腔盖板，通过位置固定件连接在反应腔盖板的外表面。

其中，反应腔盖板外表面上设置有凹槽，连接杆贯穿所述凹槽。

其中，还包括密封件，设置在反应腔盖板的凹槽内。

其中，所述密封件为动态的密封件。

其中，所述连接杆为陶瓷。

与现有技术相比，上述方案具有以下优点：

本实施例提供的化学气相沉积装置，对现有的化学气相沉积设备进行简单的改进，克服了现有技术中调节喷头时必须打开反应腔的缺陷，避免了现有技术打开反应腔调整喷头位置所浪费的机台升降温的时间，减少了机台的闲置时间，提高了利用效率。而且，避免了现有技术中机台打开后的高温环境对操作人员的影响。而且，采用本实施例所述的化学气相沉积装置，调节方法简单准确。

附图说明

图1为现有技术所述的化学气相沉积设备的截面结构示意图；

图2为本实用新型实施例所述的化学气相沉积设备的截面结构示意图；

图3为本实用新型实施例所述的位置固定件的截面结构示意图；

图4为本实用新型实施例的晶圆表面厚度分布示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

本实用新型的目的在于提供一种化学气相沉积设备，以解决现有技术中化学气相沉积设备调整喷头位置时必须打开反应腔的缺陷，以降低设备维修时间，消除设备对设备维护和检修人员的安全隐患。

一种化学气相沉积设备，包括：反应腔盖板，若干喷头、位置固定件以及连接杆，所述连接杆的一端与喷头固定连接，另一端贯穿所述反应腔盖板，通过位置固定件连接在反应腔盖板的外表面。其中，反应腔盖板外表面上设置有凹槽，连接杆贯穿所述凹槽，其中，还包括密封件，设置在反应腔盖板的凹槽内。