[实用新型]带温度补偿的欠压锁定电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及欠压锁定电路，具体涉及一种带温度补偿的欠压锁定电路。

背景技术

欠压锁定电路又称为UVLO(Under Voltage Lock Out)电路，是PWM电源模块中重要的保护电路。欠压锁定电路的作用在于当电源电压VCC大于正向翻转阈值VCC(ON)时，电路才开始工作，输出PWM脉冲；当电源电压VCC低于反向翻转阈值VCC(OFF)时，欠压锁定电路关闭内部其他电路模块，防止电路误动作，保证电源的稳定性和可靠性，提供足够的电压开启外部的功率MOSFET。

现有的欠压锁定电路的正向翻转阈值VCC(ON)和反向翻转阈值VCC(OFF)会随着温度的变化发生漂移，使得欠压锁定电路的翻转阈值稳定性差，系统可靠性不足。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种翻转阈值不受温度影响的稳定、可靠的带温度补偿的欠压锁定电路。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

一种带温度补偿的欠压锁定电路，其特征在于，所述电路包括一电压采样电路、一温度补偿电路、一缓冲器电路和一反馈电路，所述电压采样电路对第一电压源进行采样后提供电压采样信号给所述温度补偿电路，所述温度补偿电路的输出信号经缓冲器电路整形后输出欠压锁定电路的输出信号，所述缓冲器电路提供一馈电端，所述反馈电路连接在该馈电端和电压采样电路之间，用于实现电路的迟滞功能。

所述电压采样电路包括串联在第一电压源和接地端之间的第一电阻、第二电阻和第三电阻，第二电阻和第三电阻之间形成电压采样电路的输出端，提供电压采样信号给所述温度补偿电路。

所述温度补偿电路为带隙基准电路，包括一电流镜电路、第一晶体管、第二晶体管、第四电阻和第五电阻，电流镜电路将取自第二电压源的电流均分到第一晶体管和第二晶体管的集电极，第一晶体管和第二晶体管的基极相连，接收所述电压采样信号，第一晶体管的发射极通过第五电阻接地，第二晶体管的集电极提供温度补偿电路的输出端，其发射极通过第四电阻与第一晶体管的发射极连接。

所述电流镜电路包括第一场效应管和第二场效应管，第一场效应管的栅极和漏极连接在一起，第一场效应管和第二场效应管的源极都与第二电压源连接，栅极连接在一起，第一场效应管和第二场效应管的漏极分别连接第一晶体管和第二晶体管的集电极。

所述缓冲器电路包括一放大器和一反相器，放大器的输入端与温度补偿电路的输出端连接，其输出端接反相器的输入端，反相器的输出端输出欠压锁定电路的输出信号。

所述电压采样电路包括串联在第一电压源和接地端之间的第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述反馈电路由第三场效应管构成，第三场效应管的栅极连接所述馈电端接收反馈信号，其源极连接第一电压源，其漏极与第一电阻和第二电阻之间形成的节点连接。

所述电压采样电路包括串联在第一电压源和接地端之间的第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管，每一个场效应管的栅极连接其漏极，第四场效应管的源极连接第一电压源，第四场效应管的漏极连接第五场效应管的源极，第五场效应管的漏极连接第六场效应管的源极形成电压采样电路的输出端，提供电压采样信号给所述温度补偿电路，第六场效应管的漏极与接地端连接。

所述第一晶体管和第二晶体管为NPN管。

本实用新型一种带温度补偿的欠压锁定电路中，电压采样电路通过第一电阻、第二电阻和第三电阻对第一电源电压进行分压，电压采样信号取自第二电阻和第三电阻之间，输入到带隙基准电路的输入端，该输入端由第一晶体管和第二晶体管的基极连接形成。带隙基准电路的输出端取自第二晶体管的集电极，带隙基准电路的输出信号通过缓冲器电路整形、缓冲得到欠圧锁定电路的输出信号。当电压采样信号的电压值与第一晶体管的发射极电压值之差大于晶体管的发射结电压，第一晶体管和第二晶体管导通，欠压锁定电路的输出信号由低变高，电路启动。电压采样电路中第一电阻、第二电阻和第三电阻可以用场效应管代替，场效应管不仅能起到电阻分压的作用，而且可以减小电路的启动电流，降低电路正常工作时的静态功耗。