[实用新型]发光二极管封装改良结构无效
| 申请号： | 200720156059.5 | 申请日： | 2007-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN201134440Y | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 蒋人达;吴易座;张嘉显;李晓乔 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/367;H01L23/13 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 改良 结构 | ||
1.一种发光二极管封装改良结构，其特征在于其至少包含：
一发光二极管晶片；
一含硅的封装基板，其上具有一凹槽，以供放置至少一个该发光二极管晶片；
一导电支架，其部份曝露于该凹槽内，并电性连接至该发光二极管晶片；以及
一散热孔，是穿设于该凹槽区域内的导电支架上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装改良结构，其特征在于其中该散热孔内更包含充填导电性的金属材料。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装改良结构，其特征在于其中该凹槽的侧壁包含一反光性金属层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装改良结构，其特征在于其中该凹槽内再包含一反光盖结构，该反光盖结构的反光表面是与该凹槽的侧壁夹一角度。
5.一种发光二极管封装改良结构，其特征在于其至少包含：
一发光二极管晶片；
一砷化镓封装基板，其上具有一凹槽，以供放置至少一个该发光二极管晶片；
一导电支架，其部份曝露于该凹槽内，并电性连接至该发光二极管晶片；以及
一散热孔，是穿设于该凹槽区域内的导电支架上。
6.根据权利要求5所述的发光二极管封装改良结构，其特征在于其中该散热孔内更包含充填导电性的金属材料。
7.根据权利要求5所述的发光二极管封装改良结构，其特征在于其中该凹槽的侧壁包含一反光性金属层。
8.根据权利要求5所述的发光二极管封装改良结构，其特征在于其中该凹槽内再包含一反光盖结构，该反光盖结构的反光表面是与该凹槽的侧壁夹一角度。
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