[实用新型]具有磁场增强装置的等离子体装置无效

专利信息
申请号: 200720169925.4 申请日: 2007-07-27
公开(公告)号: CN201066954Y 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 陈强;张跃飞;付亚波;杨丽珍;孙运金 申请(专利权)人: 北京印刷学院
主分类号: H05H1/10 分类号: H05H1/10
代理公司: 北京同汇友专利事务所 代理人: 高云瑞;杨宗润
地址: 102600北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 具有 磁场 增强 装置 等离子体
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于等离子体应用技术领域,涉及一种具有磁场增强装置的等离子体装置。

背景技术

现有技术中,等离子体装置无论是真空状态下的辉光放电型,或是大气状态下的电晕防电型,普遍存在等离子体区中的等离子体密度不高的问题。如何提高等离子体区内等离子体的密度,从而提高等离子体的应用性能和效果,一直是本领域中倍受关注的课题。

发明内容

解决的技术问题:

提供一种具有磁场增强装置的等离子体装置,能将等离子体约束在一定的磁场区域内,提高等离子体区内等离子体的密度,从而提高等离子体的应用性能和效果。

采用的技术方案:

具有磁场增强装置的等离子体装置,具有等离子体装置的基本结构组成,包括驱动电源、电极及机架,以及装在机架上的带动被等离子体作用的基材连续或间歇式通过等离子体区的机构,其特征在于:还具有能将等离子体约束在一定的磁场区域内,提高等离子体区内等离子体密度的磁场增强装置,所述磁场增强装置主要是以永久性磁体组成的磁块组合体,并且固定在相应配套的支架上,支架装在机架上;磁场增强装置引入磁场的强度为10~1000mT。

有益效果:

由于等离子体被约束在一定的磁场区域内,因而能提高等离子体区内等离子体的密度;用于真空放电装置,如等离子体化学气相沉积(PECVD)装置,以化学单体的气体组分为工作气体,可在基材表面沉积聚合成具有纳米级厚度的纳米薄膜,所述纳米薄膜致密度高、阻隔气体分子性能好,不易脱落,所述纳米薄膜功能优异,应用广泛;用于大气放电装置,依据等离子体装置,尤其是放电电极结构的不同,可用于对物料的改性处理,或者用于对物体表面的改性处理;能提高等离子体的应用性能和效果,并且速度快。

附图说明

图1、具有磁场增强装置的等离子体装置总体结构示意图;

图2、与弧型电极配套对应的弧状磁块组合体12的结构示意图;

图3、与平板型电极配套对应的平板状磁块组合体12的结构示意图;

图4、磁块组合体12的磁块排组结构示意图,

(a)磁块的N-S两极以电极的纵向延伸而纵向排列;

(b)磁块的N-S两极以电极的横向延伸而横向排列;

具体实施方式

结合附图进一步祥加说明;

所述磁场增强装置中的磁块组合体12的结构为,与相应的电极结构配套对应,如图1所示,对转辊状电极型的左、右转辊电极2、3而言,其配套对应的磁块组合体12为在左、右转辊电极2、3的上方和/或下方具有的以转辊电极的轴向延伸而呈带开口的筒状体——即外磁块组合体13,同时在左、右转辊电极2、3的内腔里具有与外磁块组合体13相对应的内磁块组合体14;或者如图2所示,对弧状电极型的上、下弧型电极22、23而言,其配套对应的磁块组合体12为在上弧型电极22之上的上弧状磁块组合体24,及在下弧型电极23之下的下弧状磁块组合体25;或者如图3所示,对平板状电极型的上、下平板型电极26、27而言,其配套对应的磁块组合体12为在上平板型电极26之上的上平板状磁块组合体28,及在下平板型电极27之下的下平板状磁块组合体29;图中黑点聚集区示为等离子体区4。

如图4所示,磁块组合体12中的磁块排组规则为,依据磁块间N、S两极异性相吸原理紧密吸合、纵列横行N、S相间式排组在一起;如图4(a)所示,各磁块的N-S两极以电极的纵向(图中O-O’所示方向)延伸而纵向排列,纵列中各磁块等宽m,横行中各磁块N-S两极等长L,各磁块的厚度为δ;或者如图4(b)所示,各磁块的N-S两极以电极的横向(图中S-S’所示方向)延伸而横向排列,纵列中各磁块N-S两极等长L,横行中各磁块等宽m,各磁块的厚度为δ;各磁块的厚度δ相等为好,一般磁块选用规格为L×m×δ=100×50×20mm。

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