[实用新型]应用于平板电器的单块溅射靶组件及使用其的溅射装置有效
申请号: | 200720176817.X | 申请日: | 2007-09-12 |
公开(公告)号: | CN201154985Y | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 布拉德利·O·斯廷森;细川昭弘;稻川真 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/14 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 平板 电器 溅射 组件 使用 装置 | ||
1、一种溅射靶组件,其特征在于,所述溅射靶组件包括:
单块体,包括溅射靶和靶托;以及
埋到单块体中的一个或多个冷却通道。
2、根据权利要求1所述的靶组件,其特征在于,单块体包含铝。
3、根据权利要求2所述的靶组件,其特征在于,单块体包含铝和铌。
4、根据权利要求1所述的靶组件,其特征在于,还包含:
刻到单块体中的通道,该通道刻在相邻冷却通道之间的空间。
5、根据权利要求1所述的靶组件,其特征在于,所述单块体形状为使得 靶组件的边缘部分比中间部分薄。
6、根据权利要求1所述的靶组件,其特征在于,单块体具有大于约1平 方米的面积。
7、一种溅射装置,其特征在于,所述溅射装置包括:
真空腔;
基座;
设置真空腔中的溅射靶组件,该溅射靶组件包括:
单块体,包括溅射靶和靶托;以及
埋到单块体中的一个或多个冷却通道;以及
一个或多个阳极,在基座和溅射靶组件之间的区域横跨真空腔延伸。
8、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,单块体包含铝。
9、根据权利要求8所述的装置,其特征在于,单块体包含铝和铌。
10、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包含:
刻到单块体中的通道,该通道刻在相邻冷却通道之间的空间。
11、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,单块体的形状为使得靶组 件的边缘部分比中间部分薄。
12、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,真空腔包含多个腔壁,单 块体设置在至少一个腔壁的至少一部分上。
13、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,单块体具有大于约1平方 米的面积。
14、一种溅射靶组件,其特征在于,所述溅射靶组件包含:
溅射靶;
靶托;以及
埋到单块体中的一个或多个冷却通道,其中,在溅射靶和靶托之间没有粘 接层。
15、根据权利要求14所述的靶组件,其特征在于,溅射靶和靶托每个都 包含铝。
16、根据权利要求14所述的靶组件,其特征在于,溅射靶和靶托每个都 包含铝和铌。
17、根据权利要求14所述的靶组件,其特征在于,单块体具有大于约1 平方米的面积。
18、一种溅射装置,其特征在于,所述溅射装置包含:
真空腔;
基座;
位于真空腔的溅射靶组件,溅射靶组件包括:
溅射靶;
靶托;以及
埋到单块体中的一个或多个冷却通道,其中在溅射靶和靶托之间没 有粘接层;以及
一个或多个阳极,在基座和溅射靶组件之间的区域横跨真空腔延伸。
19、根据权利要求18所述的装置,其特征在于,溅射靶和靶托每个都包 含铝。
20、根据权利要求19所述的装置,其特征在于,溅射靶和靶托各自都包 含铝和铌。
21、根据权利要求18所述的装置,其特征在于,真空腔包含多个腔壁, 溅射靶放置在至少一个腔壁的至少一部分中。
22、根据权利要求18所述的装置,其特征在于,单块体具有大于约1平 方米的面积。
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