[实用新型]应用于平板电器的单块溅射靶组件及使用其的溅射装置有效

专利信息
申请号: 200720176817.X 申请日: 2007-09-12
公开(公告)号: CN201154985Y 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 布拉德利·O·斯廷森;细川昭弘;稻川真 申请(专利权)人: 应用材料股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/14
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;梁挥
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 应用于 平板 电器 溅射 组件 使用 装置
【权利要求书】:

1、一种溅射靶组件,其特征在于,所述溅射靶组件包括:

单块体,包括溅射靶和靶托;以及

埋到单块体中的一个或多个冷却通道。

2、根据权利要求1所述的靶组件,其特征在于,单块体包含铝。

3、根据权利要求2所述的靶组件,其特征在于,单块体包含铝和铌。

4、根据权利要求1所述的靶组件,其特征在于,还包含:

刻到单块体中的通道,该通道刻在相邻冷却通道之间的空间。

5、根据权利要求1所述的靶组件,其特征在于,所述单块体形状为使得 靶组件的边缘部分比中间部分薄。

6、根据权利要求1所述的靶组件,其特征在于,单块体具有大于约1平 方米的面积。

7、一种溅射装置,其特征在于,所述溅射装置包括:

真空腔;

基座;

设置真空腔中的溅射靶组件,该溅射靶组件包括:

单块体,包括溅射靶和靶托;以及

埋到单块体中的一个或多个冷却通道;以及

一个或多个阳极,在基座和溅射靶组件之间的区域横跨真空腔延伸。

8、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,单块体包含铝。

9、根据权利要求8所述的装置,其特征在于,单块体包含铝和铌。

10、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包含:

刻到单块体中的通道,该通道刻在相邻冷却通道之间的空间。

11、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,单块体的形状为使得靶组 件的边缘部分比中间部分薄。

12、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,真空腔包含多个腔壁,单 块体设置在至少一个腔壁的至少一部分上。

13、根据权利要求7所述的装置,其特征在于,单块体具有大于约1平方 米的面积。

14、一种溅射靶组件,其特征在于,所述溅射靶组件包含:

溅射靶;

靶托;以及

埋到单块体中的一个或多个冷却通道,其中,在溅射靶和靶托之间没有粘 接层。

15、根据权利要求14所述的靶组件,其特征在于,溅射靶和靶托每个都 包含铝。

16、根据权利要求14所述的靶组件,其特征在于,溅射靶和靶托每个都 包含铝和铌。

17、根据权利要求14所述的靶组件,其特征在于,单块体具有大于约1 平方米的面积。

18、一种溅射装置,其特征在于,所述溅射装置包含:

真空腔;

基座;

位于真空腔的溅射靶组件,溅射靶组件包括:

溅射靶;

靶托;以及

埋到单块体中的一个或多个冷却通道,其中在溅射靶和靶托之间没 有粘接层;以及

一个或多个阳极,在基座和溅射靶组件之间的区域横跨真空腔延伸。

19、根据权利要求18所述的装置,其特征在于,溅射靶和靶托每个都包 含铝。

20、根据权利要求19所述的装置,其特征在于,溅射靶和靶托各自都包 含铝和铌。

21、根据权利要求18所述的装置,其特征在于,真空腔包含多个腔壁, 溅射靶放置在至少一个腔壁的至少一部分中。

22、根据权利要求18所述的装置,其特征在于,单块体具有大于约1平 方米的面积。

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