[实用新型]高压管连接件无效
申请号: | 200720178559.9 | 申请日: | 2007-09-18 |
公开(公告)号: | CN201250975Y | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 黄杏喆 | 申请(专利权)人: | 黄杏喆 |
主分类号: | F16L33/22 | 分类号: | F16L33/22 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申 健 |
地址: | 韩国全罗北道全*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 连接 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种连接装置,尤其涉及一种高压管连接件。
背景技术
所谓管接头是指插入管件进行连接的连接部,在承接管件的部位进行防止管件脱落的铸造,而在另一端多使用螺栓等连接其他部件。另一方面,在如上所述管接头上插入所述管件时,通常利用绑紧带将所述管件紧密固定在所述管接头上,或利用钢丝捆绑所述管件外面以使所述管件紧密固定在所述管接头上。
由于所述方式非常便于固定,因此任何人都可以简易将所述管件紧密固定在所述管接头上,但经过一段时间后所述绑紧带以及所述钢丝耐不住高压,逐渐宽松导致所述管件从所述管接头上脱落。因此产生了对能够解决所述问题的新型高压管连接件的需求。
实用新型内容
本实用新型提供了一种高压管连接件,以将管件牢固的固定在连接部。
本实用新型采用以下技术方案:
一种高压管连接件,包含:由螺帽与设在所述螺帽的一侧或两侧的管件承插部组成的管接头;将所述管接头的管件承接部插在管件上的状态下,将所述管件推挤到所述管件承接部上进行固定的套管,在所述管接头的螺帽与管件承插部之间,在管件承接部外面上设有环形凹槽,而在所述套管端部的内缘上则设有环形突起,从而将所述套管朝轴向推挤时,所述套管上的环形突起就被嵌入到所述管接头的环形凹槽中。
在所述套管的环形突起上设有至少一个V字形凹槽。
在所述套管的内缘上设有至少一个固定突起。
一种高压管连接件,包含:由螺帽与设在所述螺帽的一侧或两侧的管件承插部组成的管接头;将所述管接头的所述管件承接部插在管件上的状态下,将所述管件推挤到所述管件承接部上进行固定的套管,在所述管接头的螺帽与管件承插部之间,在管件承插部外面上设有环形凹槽,而所述套管则由设有纵向切口,并在一端的内缘上则设有环形突起,且越接近另一端其外径越来越小的第一套管与越接近一端其内径越来越大的第二套管组成,当所述第二套管挤压所述第一套管时,所述第一套管上的所述环形突起就被嵌入到所述管接头的环形凹槽中。
在所述第一套管的环形突起上设有至少一个V字形凹槽。
在所述第一套管的内缘上设有至少一个固定突起。
本实用新型高压管连接件,其能够将所述管件更加强力地推挤到所述管件承接部上,从而可以避免所述管件从所述管接头上脱落,并且所述V字形凹槽的间距越变越小,从而能够将所述环形突起更加精确地插入在所述环形凹槽中进行固定,并且所述固定突起将所述管件朝所述管件承接部方向推移,从而能够将所述管件更加牢固地插在所述承接部上。
附图说明
图1为显示本实用新型的第一实施例的图。
图2为显示根据本实用新型的管接头状态的斜视图。
图3为图1的分解斜视图。
图4以及图5为显示图3中的管接头与套管被依次插入到所述管件中的状态的斜视图。
图6为显示所述套管将所述管件推挤到所述管件承接部上的状态的斜视图。
图7为沿着图6的A-A线断开的剖视图。
图8为显示本实用新型的第二实施例的斜视图。
图9为图8的分解斜视图。
图10以及图11为显示第一套管以及第二套管被依次连接在所述管件上的状态的斜视图。
图12以及图13为显示图10中的第二套管推压第一套管的过程的斜视图。
图14为沿着图13的B-B线断开的剖视图。
具体实施方式
下面,参照附图详细说明的本实用新型的较佳实施例。理所当然,本实用新型的权利范围并不限定于下述实施例,在不超过本实用新型的技术要点的范围内,具备本技术领域通常知识的人可进行多种多样的变形并实施。
图1为显示本实用新型的第一实施例的图,图2为显示根据本实用新型的管接头10状态的斜视图,图3为图1的分解斜视图,图4以及图5为显示图3中的管接头10与套管30被依次插入到所述管件11中的状态的斜视图。首先如图1以及图2所示主要包括管接头10与套管30。
此时,所述管接头10用于连接或结合普通的管件11,如图1以及图2所示,其由螺帽13与设在所述螺帽13的一侧或两侧的管件承接部15组成。
具体说,在所述螺帽13与所述管件承接部15之间,在所述管件承接部15的外面,如图2所示设有环形凹槽17。
此时,在所述环形凹槽17中插入固定下述的套管30的环形突起31,在此省略其详细说明。并且,在所述管件承接部15的外面设有朝斜线方向倾斜的至少一个突缘15a。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄杏喆,未经黄杏喆许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720178559.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:茚并芴聚合物基有机半导体材料
- 下一篇:掺锰铝酸锂晶体的生长方法