[实用新型]曲面压电晶片研磨装置

权利要求书

1.一种曲面压电晶片研磨装置，包括下磨盘(1)，晶片托架(2)，其特征在于：还包括晶片研磨控制仪(8)，所述的下磨盘(1)和晶片托架(2)为导电金属制作而成，所述的下磨盘(1)连接所述的晶片研磨控制仪(8)的探头的下电极端，所述的晶片托架(2)连接所述的晶片研磨控制仪(8)的探头的上电极端，所述的晶片研磨控制仪(8)的探头的接地极接地。

2.根据权利要求1所述的曲面压电晶片研磨装置，其特征在于：还包括上电极(5)和在所述的上电极(5)外壁上的绝缘防护层(6)，所述的晶片托架(2)的中心有一个通透的直径略大于晶片(3)的直径的轴向中心孔(4)，所述的上电极(5)和绝缘防护层(6)插入所述的轴向中心空(4)中，所述的晶片研磨控制仪(8)的探头的上电极端与所述的上电极(5)连接。

3.根据权利要求1或2所述的曲面压电晶片研磨装置，其特征在于：所述的上电极(5)使用铜制作而成，所述的下磨盘(1)使用铸铁制成，所述的晶片托架(2)使用铁制成。

4.根据权利要求2所述的曲面压电晶片研磨装置，其特征在于：所述的轴向中心孔(4)的直径略大于所述的绝缘防护层(6)的直径。

5.根据权利要求2或4所述的曲面压电晶片研磨装置，其特征在于：所述的绝缘防护层(6)是绝缘护套。

6.根据权利要求2所述的曲面压电晶片研磨装置，其特征在于：还包括在所述绝缘防护层(6)外壁上的金属防护层(7)，所述的轴向中心孔(4)的直径略大于所述的金属防护层(7)的直径。

7.根据权利要求6所述的曲面压电晶片研磨装置，其特征在于：所述的金属防护层(7)是金属护套。

8.根据权利要求6或7所述的曲面压电晶片研磨装置，其特征在于：所述的金属防护层(7)所使用的材料是铁。