[实用新型]能够低耗费运行的双浴槽降温法育晶装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种能够低耗费运行的双浴槽降温法育晶装置，属于C30B单晶生长领域。

背景技术

降温法育晶装置是从溶液中培育单晶的一类重要装置，在张克从等编著的“晶体生长科学与技术”(第二版，上册)第204页至208页对各类降温法育晶装置有详细的介绍，该书由科学出版社于1997年出版，在各类降温法育晶装置中，双浴槽降温法育晶装置具有突出的优点，在上述专著的第206页的图3.20中展示了双浴槽降温法育晶装置的构造，该装置的结构可以扼要地描述如下：该装置主要结构包括桶状育晶器，以及，与桶状育晶器外壁贴合装设的内浴槽，以及，与内浴槽外壁贴合装设的外浴槽，在外浴槽的外壁上开设有冷却水输入接口以及冷却水输出接口。该育晶装置中的桶状育晶器是单晶培育区。在该育晶装置外浴槽接通冷却水的情形下，能够基本消除室温波动的影响，该装置内浴槽像一般水浴槽一样采用浸没式加热，当外浴槽温度波动为±0.2℃时，内浴槽温度波动为±0.002℃，最内层的桶状育晶器(即生长槽)的温度波动可降至±0.0016℃，这种装置能满足培育高完整性单晶的需要。

由于利用上述装置所培育的单晶通常具有不低的经济价值或科研价值，使用该种装置的部门会忽视单晶培育过程中的冷却水消耗，一般只是简单地把上述装置的外浴槽的冷却水输入接口与自来水管接通，用长时间不断流淌的自来水进行外浴槽的冷却控制，在水资源日益宝贵的现今，上述长流自来水的冷却方式显然应当有所改变。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，针对上述的单晶培育过程中的冷却水消耗问题，研发一种冷却水消耗少的能够低耗费运行的双浴槽降温法育晶装置。

本实用新型通过如下方案解决所述技术问题，该方案提供的装置是一种能够低耗费运行的双浴槽降温法育晶装置，该装置包括桶状育晶器，以及，与桶状育晶器外壁贴合装设的内浴槽，以及，与内浴槽外壁贴合装设的外浴槽，在外浴槽的外壁上开设有冷却水输入接口以及冷却水输出接口，本案要点是，该装置还包括水泵以及逆流式冷却塔，开设在所述外浴槽的外壁上的冷却水输入接口与水泵的出水口联通，水泵的进水口与逆流式冷却塔的出水口联通，开设在所述外浴槽的外壁上的冷却水输出接口与逆流式冷却塔的进水口联通。本案装置中附带的逆流式冷却塔其工作方式决定了应用本案装置时对水资源的较少占用和较低消耗。适用于本案装置的逆流式冷却塔是微小型的逆流式冷却塔，微小型的逆流式冷却塔不但用水少，而且功耗较低，此外，占用面积比较小。本案装置当然还可以包括一些其它部件，例如，装设在内浴槽中的加热元件、感温元件，以及，装设在内浴槽部位的搅拌器以及搅拌器驱动马达，以及，装设在外浴槽部位的搅拌器以及搅拌器驱动马达，以及，装设在桶状育晶器部位的转晶马达，等等。

本实用新型的优点是，装置中附带的逆流式冷却塔其工作方式决定了应用本案装置时对水资源的较少占用和较低消耗。适用于本案装置的逆流式冷却塔是微小型的逆流式冷却塔，微小型的逆流式冷却塔不但用水少，而且功耗较低，此外，占用场地面积比较小。

附图说明

图1示意本案装置的技术要点。

图中，1是桶状育晶器，2是内浴槽，3是外浴槽，4是逆流式冷却塔，5是水泵，图中的箭头符号示意冷却水流动方向。

具体实施方式

在图1所示的本案装置中，其结构包括桶状育晶器1，以及，与桶状育晶器1的外壁贴合装设的内浴槽2，以及，与内浴槽2的外壁贴合装设的外浴槽3，在外浴槽3的外壁上开设有冷却水输入接口以及冷却水输出接口，外浴槽3的外壁上的冷却水输入接口与水泵5的出水口联通，水泵5的进水口与逆流式冷却塔4的出水口联通，外浴槽3的外壁上的冷却水输出接口与逆流式冷却塔4的进水口联通，图中的三个箭头符号分别示意三个不同部位的水流通道中的冷却水流动方向。