[实用新型]发光二极管的温度特性测量系统无效
| 申请号： | 200720189804.6 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN201145717Y | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 翁思渊 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/26;G01M11/00;G01M11/02;G05D23/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 温度 特性 测量 系统 | ||
1.一种发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于包括：
一环境控制装置，其具有一容置空间的，发光二极管设置于该容置空间中；
一流体介质，填充于该容置空间中，并包覆住该发光二极管；
一温度控制装置，用以控制该容置空间内的温度；以及
一光学测量装置，用以测量在该流体介质中的该发光二极管的光学特性。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于还包括：
一控制单元，电性连接于该温度控制装置和该光学测量装置，以该温度控制装置和该光学测量装置。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于还包括一用于侦测该发光二极管的电压或电流的电源电表。
4.根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于：该该容置空间还设有一均匀流体介质温度的均温装置。
5.根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于：该流体介质为绝缘材料，且该流体介质在该容置空间内的温度操作范围介于-55度至140度之间。
6.根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于：该流体介质在该容置空间内的温度操作范围介于-40度至125度之间。
7.根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于：该流体介质为油质材料。
8.根据权利要求7所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于：该流体介质为硅油。
9.根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于：该流体介质为超纯水。
10.根据权利要求1至9中任一权利要求所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于：该温度控制装置包括：
一加热装置，用以对该流体介质进行加热；
一冷却装置，用以对该流体介质进行冷却；以及
一温度控制器，电性连接于该加热装置和该冷却装置，用以控制该加热装置和该冷却装置。
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