[实用新型]屏蔽触头盒

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种触头盒，尤其是一种屏蔽触头盒。

背景技术

普通触头盒内部的母排的尖端，梅花触头，以及环氧树脂内部的尖角，加上严酷的环境条件之间的电保累积，导致触头盒内部、外部出现了电晕放电现象导致绝缘体表面有不同成度的电晕腐蚀现象。A相触头盒内的屏蔽套与B相触头盒屏蔽套之间的电压差为40.5KV，常常在接缝之间出现放电现象。主要是由于接缝之间存在一定的空气间隙由于A、B相触头盒之间，使之接缝两端也就存在一定的电压差、而产生了放电。

实用新型内容

本实用新型要解决上述现有技术的缺点，提供一种屏蔽触头盒。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案：这种屏蔽触头盒，主要包括A相触头盒和B相触头盒，所述A相触头盒内设有A相屏蔽套，B相触头盒内设有B相屏蔽套，A相触头盒和B相触头盒之间的接缝处设有半导体硅胶层。

所述的A相触头盒上的环氧树脂层内设有A相屏蔽套，B相触头盒上的环氧树脂层内设有B相屏蔽套。

所述的半导体硅胶层5的截面呈形。

本实用新型有益的效果是：1、触头盒内部高电位与铜制屏蔽套连接埋设在绝缘体内部使得触头盒与屏蔽套形成电位。没有放电现象。2、硅橡胶半导体材料嵌缝屏蔽，触头盒与触头盒通过半导体材料距离为100mm左右，实际材料的绝缘性能击穿电压26KV/min。远远大于使用要求，而且触头盒的爬电距离微微1200mm以上，绝对符合图标要求。解决了产品内外触头盒的电解。

附图说明

图1是本实用新型的触头盒相间结构示意图。

图2是本实用新型的单个触头盒主视结构示意图；

附图标记：A相触头盒1，A相屏蔽套2，B相触头盒3，B相屏蔽套4，半导体硅胶层5，环氧树脂层6。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

如图所示：这种屏蔽触头盒，主要包括A相触头盒1和B相触头盒3，所述A相触头盒1上的环氧树脂层6内设有A相屏蔽套2，B相触头盒3上的环氧树脂层6内设有B相屏蔽套4，A相触头盒1和B相触头盒3之间的接缝处设有半导体硅胶层5，半导体硅胶层5的截面呈形。

工作原理：1、将触头盒内部高电位(母排、静触头、梅花触头、导电杆)与铜制屏蔽套连接埋设在绝缘体内部使得触头盒与屏蔽套形成电位，没有放电现象。2、触头盒相间采用半导体硅橡胶材料嵌屏蔽技术。如图所示A相触头盒内的屏蔽套与B相触头盒屏蔽套之间的电压差为40.5KV，常常在接缝之间出现放电现象。硅橡胶半导体材料嵌缝屏蔽技术解决了放电这一技术难题，触头盒与触头盒通过半导体材料距离为100mm左右，实际材料的绝缘性能击穿电压26KV/min。远远大于使用要求，而且触头盒的爬电距离微微1200mm以上，绝对符合图标要求。解决了产品内外触头盒的电解。

除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。