[实用新型]高精度、高分辨率位移传感器无效
申请号: | 200720195983.4 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN201122101Y | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 杨忠义 | 申请(专利权)人: | 东莞市特马电子有限公司 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12;G01D5/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 范志平 |
地址: | 523867广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高精度 高分辨率 位移 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种位移传感器,尤其涉及一种高精度、高分辨率位移传感器。
背景技术
现有位移传感器的副栅线路板使用的是普通敷铜板材料,其上的发射电极和接收电极采用普通敷铜板的蚀刻工艺制作,由于受制作工艺的限制,发射电极和接收电极不可能制作的很精细,这就限制了传感器的分辨率及精度。此外,由于普通敷铜板材料几何尺寸易随环境温度、湿度的变化而变化,这也影响了位移传感器的精度。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型旨在提供一种高精度、高分辨率位移传感器。
本实用新型采用的技术方案是:
一种高精度、高分辨率位移传感器,包括主尺、副尺、主栅线路板、副栅线路板、控制线路板、液晶显示器及按键,所述主尺与副尺可相对滑动,主栅线路板安装在主尺上,副栅线路板安装在控制线路板上,控制线路板安装在副尺上,液晶显示器及按键安装在控制线路板上,副栅线路板及副栅线路板上的发射电极与接收电极是基材为硅片的集成线路结构。
在进一步的细节结构中,所述副栅线路板上的发射电极与接收电极通过帮定焊盘与控制线路板连接。
在进一步的细节结构中,所述副尺的侧面开设有滑槽,主尺连同其主栅线路板一起安装在副尺的滑槽中,控制线路板安装在副尺的侧面,其副栅线路板与主栅线路板相对应。
在进一步的细节结构中,所述液晶显示器及按键安装在控制线路板的外侧。
本实用新型的副栅线路板及副栅线路板上的发射电极与接收电极均采用集成电路制作工艺(如CMOS,Bi-CMOS等工艺)在硅片上直接制作,其发射电极与接收电极极为精细,与主栅线路板配合可达到极高的分辨率,如1μm、0.5μm、0.1μm等,可用于制作精度极高的千分尺、千分表、测高仪、测长仪等量具。
附图说明
图1是副栅线路板的示意图;
图2是主栅线路板的示意图;
图3是本实用新型的装配示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步详细的描述。
附图标记说明如下:
1.帮定焊盘 2.发射电极
3.屏蔽电极 4.接收电极
5.主栅线路板 6.按键
7.液晶显示器 8.控制线路板
9.副栅线路板 10.主栅线路板
11.主尺 12.副尺
如图1~3所示,该位移传感器主要由按键6、液晶显示器7、控制线路板8、副栅线路板9、主珊线路板10、主尺11、副尺12组成,副尺12的侧面开设有滑槽,主尺11位于副尺的滑槽中,两者可相对滑动,主栅线路板10安装在主尺11上,副栅线路板9安装在控制线路板8上,并通过帮定焊盘1与控制线路板8连接,控制线路板8安装在副尺的侧面上,液晶显示器7及按键6安装在控制线路板8的外侧,副栅线路板9及副栅线路板上的发射电极2与接收电极4是基材为硅片的集成线路结构,采用集成电路制作工艺(如CMOS,Bi-CMOS等工艺)在硅片上直接制作而成。当主尺11相对于副尺12运动时,副栅线路板9上的发射电极2发出的信号经主栅线路板5上的电极合成、反射,副栅线路板上的接收电极4接收由主栅线路板5反射回的电信号,该电信号经过控制线路板8上的集成电路处理、计算,最后将该数值在液晶显示器7上显示出来,按键6可以实现液晶显示器上数值的清零、公英制转换、开关机等功能。
以上只是位移传感器的一种实施方式,实际上位移传感器的线路设计有多种方式。例如采用光刻或蚀刻工艺来制作副栅线路板,或者位移传感器为容栅位移传感器或磁栅位移传感器。但不论在其形状或结构上作任何变化,只要其副栅线路板是基材为硅片的集成线路结构,均在保护范围之内。
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