[实用新型]改进的晶体管散热结构无效

专利信息
申请号: 200720305054.4 申请日: 2007-12-07
公开(公告)号: CN201311929Y 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 资重兴;白金泉 申请(专利权)人: 利顺精密科技股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/498;H01L25/00;H01L25/07
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 代理人: 高凤荣
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 改进 晶体管 散热 结构
【权利要求书】:

1.一种改进的晶体管散热结构,其特征在于:其本体包含:

一基板,具有一第一表面与一第二表面,该基板开设有一窗口,该窗口贯穿该第一表面与第二表面,该基板的第一表面承载有至少一芯片,该芯片以引线穿过窗口连接至基板第二表面,该基板第一表面设有第一封装层,该第一封装层是将芯片包覆于内,而基板于窗口处设有第二封装层,该第二封装层是将引线包覆于内,并于该第二封装层的外侧设有散热层。

2.根据权利要求1所述的改进的晶体管散热结构,其特征在于:所述基板的第二表面设有数个锡球。

3.根据权利要求2所述的改进的晶体管散热结构,其特征在于:所述基板第二表面邻近窗口处的锡球所围合之处定义出一散热空间,该散热空间与第二表面间的最大高度差,是略大于或等于锡球与第二表面间的最长垂直距离,而该散热层是设置于第二封装层的外侧起至散热空间内。

4.根据权利要求1所述的改进的晶体管散热结构,其特征在于:所述散热层为液态散热层。

5.根据权利要求1所述的改进的晶体管散热结构,其特征在于:所述芯片具有一作用面以及一非作用面,该芯片以该作用面与基板的第一表面结合,而该非作用面则受第一封装层的包覆。

6.根据权利要求5所述的改进的晶体管散热结构,其特征在于:所述引线是与芯片的作用面连接。

7.根据权利要求1所述的改进的晶体管散热结构,其特征在于:所述芯片与基板的第一表面之间设有一黏着层。

8.根据权利要求7所述的改进的晶体管散热结构,其特征在于:所述黏着层为绝缘性黏着层。

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