[实用新型]欠压保护电路无效
申请号: | 200720305547.8 | 申请日: | 2007-11-20 |
公开(公告)号: | CN201118796Y | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 刘广学 | 申请(专利权)人: | 青岛海信电器股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/63 | 分类号: | H04N5/63 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申健 |
地址: | 266100山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 | ||
1、一种欠压保护电路,包括用于对液晶电视控制芯片供电的放大电路,及对该放大电路供电的放大供电电路,其特征在于:还包括与所述放大电路相连的钳位电路,与所述钳位电路相连的欠压控制电路。
2、根据权利要求1所述的欠压保护电路,其特征在于:
所述放大电路包括一NPN型三极管,该NPN型三极管的集电极和基极分别与放大供电电路相连接,发射极与一输出端相连,用于对液晶电视控制芯片供电,并且发射极通过一电阻和另一输出端相连。
3、根据权利要求2所述的欠压保护电路,其特征在于:
所述放大电路还包括分压滤波电路。
4、根据权利要求3所述的欠压保护电路,其特征在于:所述分压滤波电路包括发射极偏置电阻和集电极偏置电阻;
其中,发射极偏置电阻的一端与NPN型三极管的基极连接,另一端与NPN型三极管的发射极相连;
集电极偏置电阻的一端与NPN型三极管的基极连接,另一端接地;
集电极偏置电阻并联有电容,发射极偏置电阻也并联有电容。
5、根据权利要求4所述的欠压保护电路,其特征在于:与所述集电极偏置电阻还并联一稳压管。
6、根据权利要求2所述的欠压保护电路,其特征在于:所述放大供电电路包括放大供电电源;该放大供电电源与所述NPN型三极管的集电极相连,并且该放大供电电源通过一限流电阻和一光耦器件与所述NPN型三极管的基极相连。
7、根据权利要求6所述的欠压保护电路,其特征在于:所述限流电阻和光耦器件之间通过一电容接地。
8、根据权利要求6所述的欠压保护电路,其特征在于:所述放大供电电源通过一电容接地,且与该接地电容并联一电阻。
9、根据权利要求2所述的欠压保护电路,其特征在于:所述钳位电路包括一PNP型三极管;
该PNP型三极管的集电极接地,发射极与与所述NPN型晶体三极管的基极相连,基极通过一限流电阻和一晶体二极管与所述欠压控制电路相连,并且,在该PNP型三极管的集电极与基极之间并联有电容和电阻。
10、根据权利要求1所述的欠压保护电路,其特征在于:所述欠压控制电路一端用于接入整流桥后面的电压,另一端接地。该欠压控制电路包括串联连接的晶体二极管、稳压管和分压电阻;
所述PNP型三极管的基极,通过所述限流电阻和晶体二极管连接在该欠压控制电路的中间两个分压电阻之间。
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