[实用新型]小型氢原子频标立式磁屏蔽装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及磁屏蔽装置，特别是小型氢原子频标立式磁屏蔽装置。

背景技术

以往的磁屏蔽装置结构为四层立式结构，整个装置重量达17kg，每层屏蔽由独立的上盖、下盖和侧筒机械连接。各个上下盖之间有铝支架，与侧筒不接触。支架以及屏蔽之间绝缘处理。以往的装置重量大，不利于小型化的要求；装置内没有减震措施，连接固定措施不够，结构稳定性差；且上盖、下盖和侧筒完全独立，重复安装的可靠性低。安装完成后仅能在实验室环境下固定使用。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种小型氢原子频标立式磁屏蔽装置，解决重量重、稳定性差、可靠性低的问题。

小型氢原子频标立式磁屏蔽装置包括屏蔽层、铝支架，还包括支撑杆和绝缘减震胶垫。其中屏蔽层由上盖、下盖和侧筒构成，上盖为圆盘，侧筒为圆筒，上盖直径与侧筒直径对应，上盖与侧筒的顶端焊接为一体，下盖为边缘带有突台的圆盘，突台高度为10mm-15mm，下盖突台的内径与侧筒的外径相对应，侧筒的底端与下盖突台端扣接。多层屏蔽层以嵌套式结构组合在一起，由内向外各层屏蔽层的直径由小变大，高度由低到高。最外层屏蔽筒上筒壁厚为0.8mm-1.2mm，直径为255mm-265mm，高度为275mm-285mm，下盖的厚度为8.0mm-12.0mm，外径为265mm-285mm，内层壁厚为0.3mm-0.5mm。铝支架置于屏蔽的上盖之间和下盖之间，绝缘减震胶垫置于铝支架和屏蔽的上盖、下盖之间。最外层下盖上有相应内层底盖中心均分的三个螺纹孔。内层屏蔽的上盖、下盖通过支撑杆固定在最外层下盖上。屏蔽层材料为坡莫合金。

由于屏蔽层的阻碍作用，外部磁场的主要沿屏蔽层进行传播而不能穿过屏蔽层，仅有少量磁场分量能穿过屏蔽层进入内部区域，经过多层屏蔽作用，最终在屏蔽最内层内部形成均匀稳定微弱的剩余磁场，并且在长期连续的工作过程中，不因外界环境条件的改变而变化。

通过对磁屏蔽装置进行改进，磁屏蔽装置的重量减少到12kg，结构得到了强化，稳定性和可靠性均得到了提高，工作环境有了大范围扩展。

附图说明

图1小型氢原子频标立式磁屏蔽装置结构示意图

1.上盖  2.侧筒  3.下盖  4.最外层屏蔽上盖  5.最外层屏蔽侧筒  6.最外层屏蔽下盖  7.绝缘减震胶垫8.支撑杆  9.铝支架

具体实施方式

小型氢原子频标立式磁屏蔽装置包括屏蔽层、铝支架9，还包括支撑杆8和绝缘减震胶垫7。其中屏蔽层为四层，由上盖1、侧筒2和下盖3构成，上盖1为圆盘，侧筒2为圆筒，上盖1直径与侧筒2直径对应，上盖1与侧筒2的顶端焊接为一体，下盖3为边缘带有突台的圆盘，突台高度为12mm，下盖3突台的内径与侧筒2的外径相对应，侧筒2的底端与下盖3突台扣接。屏蔽层由内向外依次为屏蔽层a、屏蔽层b、屏蔽层c、屏蔽层d。四层屏蔽层以嵌套式结构组合在一起，由内向外各层屏蔽层的直径由小变大，高度由低到高。屏蔽层a壁厚为0.5mm，直径为190mm，高度为240mm；屏蔽层b壁厚为0.5mm，直径为210mm，高度为260mm；屏蔽层c壁厚为0.5mm，直径为230mm，高度为280mm；最外层屏蔽上盖4即屏蔽层d上盖厚1.0mm，最外层屏蔽侧筒5即屏蔽层d侧筒壁厚为1.0mm，直径为256mm，高度为300mm，最外层屏蔽下盖6即屏蔽层d下盖的厚度为10.0mm，外径为276mm。屏蔽层上盖1之间和下盖2之间的间隙均用绝缘减震胶垫7和铝支架9分隔固定，支撑杆8固定在最外层屏蔽下盖6上，内层屏蔽用铝支架9通过支撑杆8固定在最外层屏蔽下盖6上。