[实用新型]过温保护电路及其防误触发逻辑控制模块

权利要求书

1.一种过温保护电路的防误触发逻辑控制模块，其特征在于，该防误触发逻辑控制模块连接到过温保护电路的输出OTSD’，该防误触发逻辑控制模块还接收偏置电流Pbias作为输入，该防误触发逻辑控制模块包括：

偏置电流监测及延迟电路，包括PMOS管M11、NMOS管M12和电容C0，其中，偏置电流Pbias连接到PMOS管M11的栅极，PMOS管M11还连接到高电平，NMOS管M12和电容C0还接地；

第一与非门，接收所述偏置电流监测及延迟电路的输出和过温保护电路的输出OTSD’作为输入；

第二与非门，接收所述偏置电流监测及延迟电路的输出和第一与非门的输出作为输出，第二与非门的输出作为所述防误触发逻辑控制模块的输出OTSD。

2.如权利要求1所述的防误触发逻辑控制模块，其特征在于，

所述NMOS管M12的源极和漏极接地。

3.一种过温保护电路，包括：

负温度系数电压产生电路，连接到偏置电流Pbias，产生负温度系数电压VBE；

零温度或正温度系数产生电路，连接到偏置电流Pbias，产生零温度或正温度系数电压VR；

整形电路，接收所述负温度系数电压VBE和零温度或正温度系数电压VR进行整形；

开关管，连接负温度系数电压产生电路、零温度或正温度系数产生电路，还连接到整形电路的输出端；

其特征在于，还包括防误触发逻辑控制模块，该防误触发逻辑控制模块接收整形电路的输出OTSD’和偏置电流Pbias作为输入，该防误触发逻辑控制模块包括：

偏置电流监测及延迟电路，包括PMOS管M11、NMOS管M12和电容C0，其中，偏置电流Pbias连接到PMOS管M11的栅极，PMOS管M11还连接到高电平，NMOS管M12和电容C0还接地；

第一与非门，接收所述偏置电流监测及延迟电路的输出和过温保护电路的输出OTSD’作为输入；

第二与非门，接收所述偏置电流监测及延迟电路的输出和第一与非门的输出作为输出，第二与非门的输出作为所述防误触发逻辑控制模块的输出OTSD。

4.如权利要求3所述的防误触发逻辑控制模块，其特征在于，

所述NMOS管M12的源极和漏极接地。

5.如权利要求3所述的防误触发逻辑控制模块，其特征在于，

所述负温度系数电压产生电路包括MOS管M1、MOS管M2和三极管Q1，其中偏置电流Pbias连接到MOS管M1和MOS管M2的栅极。

6.如权利要求3所述的防误触发逻辑控制模块，其特征在于，

所述零温度或正温度系数产生电路包括MOS管M1、MOS管M2、电阻R2和电阻R3，其中偏置电流Pbias连接到MOS管M1和MOS管M2的栅极。

7.如权利要求3所述的防误触发逻辑控制模块，其特征在于，

所述整形电路包括级联的一级比较器和两级反相器，所述比较器的正、负输入端分别接收负温度系数电压VBE和零温度或正温度系数电压VR。

8.如权利要求3所述的防误触发逻辑控制模块，其特征在于，

所述开关管为一个MOS管Q7。