[发明专利]光掩膜、其制造方法及使用该光掩膜的图形形成方法无效
申请号: | 200780000150.0 | 申请日: | 2007-02-27 |
公开(公告)号: | CN101310221A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 三板章夫 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩膜 制造 方法 使用 图形 形成 | ||
1.一种光掩膜,该光掩膜在对曝光光具有透光性的透射性基板上设有 用于形成一组矩形的抗蚀图形的掩膜图形,其特征在于:
在上述透射性基板上进一步具备:使上述曝光光部分地透射的半遮光 部、被上述半遮光部围绕并且对上述曝光光具有透光性的第一透光部、和 围绕上述掩膜图形并且对上述曝光光具有透光性的第二透光部;
上述掩膜图形具有与上述一组矩形的抗蚀图形对应的第一图形区域及 第二图形区域,第一图形区域和第二图形区域被配置为隔着上述半遮光部 的至少一部分和上述第一透光部互相相对;
上述半遮光部、上述第一透光部和上述第二透光部,使上述曝光光互 相以同相位透射。
2.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述半遮光部也被配置在上述第一图形区域及上述第二图形区域的至 少其中一个图形区域中的位于上述第一透光部一侧的角部周边。
3.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述第二透光部被配置为围绕由上述半遮光部、上述第一图形区域和 上述第二图形区域所构成的区域的周缘部。
4.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述第二透光部被配置为围绕上述第一图形区域及上述第二图形区域 的各自的周缘部,通过这样的配置使得上述第一图形区域及上述第二图形 区域分别和上述半遮光部分隔。
5.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述半遮光部被配置为围绕上述第一图形区域及上述第二图形区域的 各自的周缘部。
6.根据权利要求5所述的光掩膜,其特征在于:
位于上述第一图形区域及上述第二图形区域的各自角部周边的上述半 遮光部的宽度,大于位于该各角部以外的上述第一图形区域及上述第二图 形区域的各自周边的上述半遮光部的宽度。
7.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述半遮光部以上述透光部为基准以(-30+360×n)度以上并且 (30+360×n)度以下的相位差使上述曝光光透射,n为整数。
8.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述半遮光部对上述曝光光的透射率在5%以上并且在30%以下。
9.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述第一图形区域和上述第二图形区域的间隔为M×λ/NA以下,λ 为上述曝光光的波长,M和NA为曝光机的缩小投影光学系的缩小倍率及 数值孔径。
10.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
在与上述第一图形区域和上述第二图形区域的相对方向垂直的方向的 上述第一透光部尺寸,小于在该垂直方向的上述第一图形区域及上述第二 图形区域的各自的尺寸。
11.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述第一图形区域及上述第二图形区域分别为矩形。
12.根据权利要求11所述的光掩膜,其特征在于:
上述第一图形区域的短边和上述第二图形区域的短边相对。
13.根据权利要求12所述的光掩膜,其特征在于:
上述第一图形区域的短边尺寸和上述第二图形区域的短边尺寸相等。
14.根据权利要求12所述的光掩膜,其特征在于:
上述第一图形区域的短边尺寸小于上述第二图形区域的短边尺寸。
15.根据权利要求11所述的光掩膜,其特征在于:
上述第一图形区域的短边和上述第二图形区域的长边相对。
16.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述半遮光部由厚度30nm以下的金属薄膜构成。
17.根据权利要求1所述的光掩膜,其特征在于:
上述第一图形区域及上述第二图形区域分别由实质上不使上述曝光光 透射的遮光部构成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780000150.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制冷循环装置
- 下一篇:一种钢材快速加热装置及钢材快速加热方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备