[发明专利]适合于蚀刻高纵横比结构的真空处理室

权利要求书

1.一种处理室，包括：

具有内部容积的室主体；

喷头组件，所述喷头组件耦接至所述室主体的顶部，并且所述喷头组件具 有在所述喷头组件中形成的至少两个流体地隔离的充气室、可透射光学计量信 号的区域、以及多个穿过所述喷头组件形成的气体通道，将所述充气室流体地 耦合至所述室主体的内部容积或空间，其中所述喷头组件还包括气体分配板和 陶瓷插塞，形成在所述气体分配板中的多个度量孔与形成在所述陶瓷插塞中的 多个通道对准；以及

设置在所述室主体中的衬底支撑组件。

2.如权利要求1所述的处理室，其中所述衬底支撑组件还包括：

静电卡盘；以及

热调节板，所述热调节板设置在所述静电卡盘下方，并且所述热调节板具 有至少两个独立可控温度区。

3.如权利要求1所述的处理室，其中至少两个独立可控温度区横向隔开。

4.如权利要求1所述的处理室，其中所述处理室还包括：

衬垫，使所述衬底支撑组件的侧部与所述室主体的内部容积隔离，所述衬 垫具有上部较大直径部分和下部较小直径部分。

5.如权利要求4所述的处理室，其中所述衬垫包含钇。

6.如权利要求4所述的处理室，其中所述衬垫包括Y₂O₃。

7.如权利要求4所述的处理室，其中所述处理室还包括：

覆盖环，所述覆盖环设置在所述衬底支撑组件上并具有两个向下定向的 脊，所述脊限定俘获所述衬垫的上终端的狭槽。

8.如权利要求1所述的处理室，其中所述处理室还包括：

与所述衬底支撑组件耦合的多个等离子电源。

9.如权利要求8所述的处理室，其中所述处理室还包括：

围绕所述室主体设置的多个磁铁。

10.如权利要求1所述的处理室，其中所述处理室还包括：

气体控制板，所述气体控制板具有耦合至混合歧管的多个气体源，所述混 合歧管流体地耦合至所述喷头组件的充气室；以及

至少一种直接注入气体，流体地耦合至所述充气室中的至少一个并旁路所 述混合歧管。

11.如权利要求1所述的处理室，其中所述处理室还包括：

混合歧管；

与所述混合歧管耦合的多个第一气体源；以及

在所述混合歧管和所述喷头组件的充气室之间流体地耦合的流量控制器， 所述流量控制器配置为控制流向所述充气室的气体流量比。

12.如权利要求11所述的处理室，其中所述处理室还包括：

至少一种直接注入气体，所述至少一种直接注入气体流体地耦合至所述充 气室中的至少一个并旁路所述混合歧管。

13.如权利要求11所述的处理室，其中所述喷头组件还包括：

面向所述衬底支撑组件的气体分配板，所述气体分配板由钇制造。

14.一种处理室，所述处理室包括：

具有内部容积的室主体；

喷头组件，所述喷头组件耦合至所述室主体的顶部，并且所述喷头组件具 有内部气体流动区、外部气体流动区、具有多个孔的陶瓷插塞和具有多个孔的 气体分配板，所述内部气体流动区和所述外部气体流动区流体地隔离，所述气 体分配板的多个孔与形成在所述陶瓷插塞中的多个孔对准；

衬底支撑组件，所述衬底支撑组件设置在所述室主体中并具有至少两个 独立可控制的且横向隔开的温度区；

光学计量系统，所述光学计量系统设置为以通过喷头组件的可透射区域 观察室主体的内部容积；

与所述衬底支撑组件耦合的偏压电源；以及

与所述衬底支撑组件耦合的至少两个等离子体电源。