[发明专利]等离子体氧化处理方法和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种等离子体氧化处理方法，对至少具有硅层和含金属层的构造体进行氧化处理，至少在所述硅层的侧壁上形成硅氧化膜，其特征在于，包括：

使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在1.33～66.67Pa的处理压力下，进行第一等离子体氧化处理的工序；和

在进行所述第一等离子体氧化处理后，使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在133.3～1333Pa的处理压力下，进行第二等离子体氧化处理的工序。

2.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述硅层由多晶硅层构成，所述含金属层由金属硅化物层构成，所述构造体是将它们叠层而形成的叠层体。

3.根据权利要求2所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述金属硅化物层为硅化钨层。

4.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述第一等离子体氧化处理的处理温度为250～800℃。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

所述第二等离子体氧化处理的处理温度为250～800℃。

6.根据权利要求1所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：

使用利用具有多个缝隙的平面天线向处理室内导入微波以产生等离子体的等离子体处理装置进行。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；

在该第一绝缘膜上形成至少具有多晶硅层和含金属层的叠层膜的工序；

对所述叠层膜进行蚀刻处理，形成多晶硅层和含金属层的叠层体的工序；

使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在1.33～66.67Pa的处理压力下，对所述叠层体进行第一等离子体氧化处理的工序；和

在所述第一等离子体氧化处理之后，使用至少含有氢气和氧气的处理气体，在133.3～1333Pa的处理压力下，进行第二等离子体氧化处理的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述含金属层为金属硅化物层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

金属硅化物层为硅化钨层。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第一等离子体氧化处理的处理温度为250～800℃。

11.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第二等离子体氧化处理的处理温度为250～800℃。

12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

使用利用具有多个缝隙的平面天线向处理室内导入微波以产生等离子体的等离子体处理装置进行。

13.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述半导体装置为MOS型晶体管。

14.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，在它们之间设置有第二绝缘膜。

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第一绝缘膜为隧道氧化膜。

16.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第一多晶硅层为浮栅电极，所述第二多晶硅层为控制栅电极。

17.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第二绝缘膜通过将氧化膜、氮化膜、氧化膜依次叠层而形成。

18.根据权利要求14～17中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述半导体装置为闪存元件。