[发明专利]基板检查装置和基板检查方法无效
申请号: | 200780000265.X | 申请日: | 2007-01-25 |
公开(公告)号: | CN101313398A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 齐藤美佐子;林辉幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N23/225 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检查 装置 方法 | ||
1.一种基板检查方法,其特征在于,
该基板检查方法检查在基板上的由在第一层上叠层与该第一层的组成不同的第二层而形成的叠层结构上,以该第二层的一部分露出的方式而形成的图案的缺陷,其包括:
向所述基板上照射1次电子的电子发射工序;
检测由所述1次电子的照射而生成的2次电子的电子检测工序;和
对由所述电子检测工序检测出的2次电子的检测数据进行处理的数据处理工序,其中,
在所述电子发射工序中,控制加速电压,使照射在露出的所述第二层的所述1次电子到达所述第一层与所述第二层的界面附近以外的所述第一层或所述第二层中。
2.如权利要求1所述的基板检查方法,其特征在于:
所述1次电子的加速电压通过模拟算出。
3.如权利要求1所述的基板检查方法,其特征在于:
所述第一层为无机层,所述第二层为有机层。
4.如权利要求1所述的基板检查方法,其特征在于:
所述第一层的表面具有颗粒状的凹凸形状。
5.如权利要求4所述的基板检查方法,其特征在于:
所述第一层由多晶硅构成。
6.如权利要求1所述的基板检查方法,其特征在于:
所述第二层由防反射膜构成,所述图案由光致抗蚀剂构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造