[发明专利]溅射靶及氧化物烧结体的制造方法

权利要求书

1.一种溅射靶，是形成非晶态状态的透明导电膜的溅射靶，其特 征在于，具备含有氧化铟、锡和钡的氧化物烧结体，在上述氧化物烧 结体中，相对于1摩尔的铟含有0.00001摩尔以上、低于0.10摩尔的 钡，相对于1摩尔铟的锡的摩尔比y是在大于等于-2.9×10^-2Ln(x) -6.7×10^-2的值、小于等于-2.0×10^-1Ln(x)-4.6×10^-1的值、 除去y＝0的范围，其中，x表示相对于1摩尔铟的钡的摩尔比。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，可以形成电阻率 是1.0×10^-4～1.0×10^-3Ω·cm的透明导电膜。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，上述氧化物 烧结体含有氧化铟相和含钡氧化物相。

4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，相对于1摩 尔铟的锡的摩尔比y是在大于等于-2.9×10^-2Ln(x)-6.7×10^-2的 值、小于等于-2.0×10^-1Ln(x)-4.6×10^-1的值、除去y＝0的范围， 而且在小于等于0.22的范围，其中，x表示相对于1摩尔铟的钡的摩 尔比。

5.根据权利要求3所述的溅射靶，其特征在于，相对于1摩尔铟 的锡的摩尔比y是在大于等于-2.9×10^-2Ln(x)-6.7×10^-2的值、 小于等于-2.0×10^-1n(x)-4.6×10^-1的值、除去y＝0的范围，而 且在小于等于0.22的范围，其中，x表示相对于1摩尔铟的钡的摩尔 比。

6.根据权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，相对于1摩尔铟 的锡的摩尔比y是在小于等于5.9×10^-2Ln(x)+4.9×10^-1的值的范 围，其中，x表示相对于1摩尔铟的钡的摩尔比。

7.根据权利要求5所述的溅射靶，其特征在于，相对于1摩尔铟 的锡的摩尔比y是在小于等于5.9×10^-2Ln(x)+4.9×10^-1的值的范 围，其中，x表示相对于1摩尔铟的钡的摩尔比。

8.根据权利要求4所述的溅射靶，其特征在于，相对于1摩尔铟 的锡的摩尔比y是在0.08以上的范围、相对于1摩尔铟的钡的摩尔比 x是在0.025以下的范围。

9.根据权利要求5所述的溅射靶，其特征在于，相对于1摩尔铟 的锡的摩尔比y是在0.08以上的范围、相对于1摩尔铟的钡的摩尔比 x是在0.025以下的范围。